| 发明名称 | 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种在硅衬底上生长大面积无裂纹III族氮化物薄膜的新方法，其主要特征在于：在传统的Si基氮化物缓冲层和III族氮化物薄膜之间插入一层或多层三元或四元III族氮化物自适应柔性层，此柔性层可随生长中应力的变化而自发调节其组分，自适应大失配异质外延晶格常数或热应力的变化，该层的主要作用是阻止界面处裂纹源的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN1713349A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN200410048229.9 | 申请日期 | 2004.06.15 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 吴洁君;黎大兵;陆沅;韩修训;李杰民;王晓辉;刘祥林;王占国 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/00;B32B5/00;B32B31/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种自适应柔性层的结构，其结构如下：硅衬底1表面生长Al层2和AlN缓冲层3后，生长InAlGaN或InGaN自适应柔性层4，最后生长一定厚度的III族氮化物薄膜5。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||