半导体激光元件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种在p型覆层上沉积绝缘膜的半导体激光元件，其中可以通过抑制在半导体激光元件中的p型覆层上导致的热应力来防止半导体激光元件的体劣化。化合物半导体多层结构(2)通过依次在沉积方向上沉积n型覆层(8)、有源层(9)和具有形成于其上的脊部分(19)的p型覆层(10)来形成。然后，在化合物半导体多层结构(2)的沉积方向上沉积绝缘膜(3)，该绝缘膜由折射率与构成所述第二覆层(10)的材料不同、热膨胀系数与构成所述第二覆层(10)的材料接近的绝缘材料形成。本发明还涉及制造该半导体激光元件的方法。

主权项

1.一种半导体激光元件，包括：化合物半导体多层结构，至少由第一导电类型的第一覆层(8)、有源层(9)以及第二导电类型的第二覆层(10)组成，这些层在一个方向上依次沉积，所述第二覆层包括呈条状(8，9，10)的脊部分(19)；以及绝缘膜(3)，由折射率与构成所述第二覆层的材料不同、热膨胀系数与构成所述第二覆层(10)的材料接近的绝缘材料形成，其中，所述绝缘膜(3)沉积于所述第二覆层(10)上。