| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于将CMOS逻辑部和用途各异的多个DRAM部都放在同一个半导体衬底上的DRAM混载装置，使其能够在确保良好的信号保持特性的同时，实现低耗电量及高速的性能。使构成动作速度较快的第1DRAM部102的存储单元的容量，大于构成动作速度较慢的第2DRAM部103的存储单元的容量。 | ||
| 申请公布号 | CN1713390A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN200510009421.1 | 申请日期 | 2005.02.08 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 柴田义行 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L27/10;H01L27/092;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于：包括：设置在半导体衬底上且由多个第1存储单元构成的第1DRAM部，以及设置在上述半导体衬底上且由多个第2存储单元构成的第2DRAM部；上述第1DRAM部的动作速度，大于上述第2DRAM部的动作速度；上述第1存储单元的容量，大于上述第2存储单元的容量。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||