发明名称 |
光记录重放方法和光记录媒体 |
摘要 |
一种光记录重放方法和光记录媒体,在环保型材料构成的记录层中,可以用简单的膜结构进行良好的光记录。光记录媒体10在基板12上有由按照要被记录的信息进行了强度调制的作为能量的激光束而进行状态变化的一对电介质层(14A、14B),以及被它们夹置的记录辅助层16构成的记录层18。记录辅助层16以Sn、Ti、Bi、Ge、C等中的某一元素作为主要成分,而作为电介质层(14A、14B)中母材的电介质材料由包含ZnS、SiO<SUB>2</SUB>、AlN、Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>等中至少一种材料来构成。 |
申请公布号 |
CN1234120C |
申请公布日期 |
2005.12.28 |
申请号 |
CN03137043.8 |
申请日期 |
2003.06.03 |
申请人 |
TDK股份有限公司 |
发明人 |
井上弘康;三岛康儿;青岛正贵;平田秀树;宇都宫肇;新井均;田中美知 |
分类号 |
G11B7/24 |
主分类号 |
G11B7/24 |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
潘培坤;楼仙英 |
主权项 |
1.一种光记录重放方法,其特征在于,在基板上,对于至少使记录辅助层和电介质层相邻存在所形成的记录层,从外部照射按照要被记录的信息进行了强度调制的激光束,通过使所述电介质层的至少一部分产生状态变化来改变光学特性而记录信息,并且读取伴随该光学特性变化的反射率的变化,重放所述信息,所述记录辅助层包含80原子%以上的从Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag中选择的至少一种元素,所述电介质层将从Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Si3N4、Ta2O5及SiC构成的组中选择的至少一种电介质材料作为主要成分。 |
地址 |
日本东京都 |