发明名称 | 被处理体的氧化方法、氧化装置及存储媒体 | ||
摘要 | 本发明提供一种被处理体的氧化方法,在可抽真空的处理容器(22)内,收存表面形成有槽部(4)的被处理体(W),向上述处理容器内供给氧化性气体和还原性气体,在具有使上述两气体进行反应而产生的氧活性种和氢氧基活性种的环境气氛中,对上述被处理体的表面进行氧化,其中:将上述氧化时的处理容器内的温度设定为900℃以下。由此,不仅沟槽(槽部)的肩部的棱部,底部的棱部也一同倒为圆形,成为曲面形状,防止小面的发生。 | ||
申请公布号 | CN1713367A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
申请号 | CN200510077720.9 | 申请日期 | 2005.06.22 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 铃木启介;青木公也;梅沢好太 |
分类号 | H01L21/762;H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/762 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳;邸万杰 |
主权项 | 1.一种被处理体的氧化方法,在可抽真空的处理容器内,收存表面形成有槽部的被处理体,向所述处理容器内供给氧化性气体和还原性气体,在具有使所述两气体进行反应而产生的氧活性种和氢氧基活性种的环境气氛中,对所述被处理体的表面进行氧化,其特征在于:将所述氧化时的处理容器内的温度设定为900℃以下。 | ||
地址 | 日本东京都 |