发明名称 使用铁磁隧道结器件的磁存储装置
摘要 通过提高使用铁磁隧道结器件的磁存储装置的电迁移的电阻来防止磁存储装置出现故障。使用铁磁隧道结器件的磁存储装置通过在隧道势垒层的上面和背面分别层叠固定磁化层和自由磁化层来形成由铁磁隧道结器件,并且使字线在铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向上延伸以及使位线在与铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向垂直方向上延伸,以便允许通过反转流过位线的电流的方向来把两种不同的存储状态写入铁磁隧道结器件中,其中,在写入铁磁隧道结器件时,把流过字线的电流的方向反转到与固定磁化层的磁化方向相同的方向或相反的方向。
申请公布号 CN1714402A 申请公布日期 2005.12.28
申请号 CN03807918.6 申请日期 2003.02.07
申请人 索尼株式会社 发明人 森山胜利;森宽伸;冈崎信道
分类号 G11C11/15 主分类号 G11C11/15
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;叶恺东
主权项 1.一种使用铁磁隧道结器件的磁存储装置,它包括:铁磁隧道结器件,它是由固定磁化层、自由磁化层和布置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间的隧道势垒层构成的;字线,它沿着所述铁磁隧道结器件的所述固定磁化层的磁化方向布线;位线,它沿着与所述铁磁隧道结器件的所述固定磁化层的所述磁化方向垂直的方向布线;写入装置,用于通过反转流过所述位线的电流的方向来将两种不同的存储状态写入所述铁磁隧道结器件中;以及反转装置,用于在写入所述铁磁隧道结器件时,把流过所述字线的电流的方向反转到与所述固定磁化层的所述磁化方向相同的方向或相反的方向。
地址 日本东京都