功率二极管制备方法及其装置

摘要

本发明涉及一种功率二极管制备方法及其装置，特别是指一种用以清除半导体组件(尤指功率二极管)的P－N结暴露于外的部分的制备方法及其装置。其中，该装置包括：一反应室，其具有一气体喷入口，而该反应室的内部形成一封闭的空间，该功率二极管设置于该反应室中；一等离子体产生器，其用以将一蚀刻气体离子化，以产生自由基及离子，该等离子体产生器与该反应室的气体喷入口连接，以将离子化的蚀刻气体喷入该反应室；及一遮蔽钣，其设于该反应室内，且面对于该气体喷入口，以于该反应室内形成一蚀刻气体的浓度分布及一气体流向，以蚀刻该P－N结的侧向暴露面。

主权项

1、一种功率二极管的制备方法，其应用于制造一功率二极管，该功率二极管具有一半导体芯片，而该半导体芯片具有一侧向暴露的P-N结，该功率二极管的制备方法包括：将该功率二极管置于一反应室中，其中该反应室具有一遮蔽钣；提供一蚀刻气体；将该蚀刻气体离子化，以产生自由基及离子；及将离子化的蚀刻气体喷向该遮蔽钣，以于该反应室内形成一蚀刻气体的浓度分布及一气体流向，以蚀刻该P-N结的侧向暴露面。