发明名称 |
耐熔微掩模法制备高温超导Josephson结的方法 |
摘要 |
耐熔微掩模法制备高温超导Josephson(约瑟夫森)结的方法,利用耐融微掩模法制备,选用常规或双晶或台阶基片,用原位制备法在基片上制备CeO<SUB>2</SUB>/YBCO双层膜,YBCO作为底层介质膜同时起到悬挂微掩模层的支撑作用,在上述双层膜上制备光刻胶掩模,曝光显影后得到微桥图形;用等离子刻蚀法将微桥区的CeO<SUB>2</SUB>膜刻去制备出CeO<SUB>2</SUB>掩模;用稀磷酸腐蚀微桥区部分的YBCO膜,使得底层的YBCO彻底去除干净;放入成膜系统中生长出所需要图形的高温超导薄膜,直接形成Josephson结。利用此方法可以避免刻蚀工艺对超导器件性能的影响,制备高质量的高温超导Josephson结。 |
申请公布号 |
CN1234176C |
申请公布日期 |
2005.12.28 |
申请号 |
CN03131541.0 |
申请日期 |
2003.05.23 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
许伟伟;吴培亨;杨森祖;吉争鸣;范世雄 |
分类号 |
H01L39/24;H01L39/22 |
主分类号 |
H01L39/24 |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 |
代理人 |
汤志武;王鹏翔 |
主权项 |
1、耐熔微掩模制备高温超导约瑟夫森结的方法,其特征是利用耐熔微掩模法制备,选用常规或双晶或台阶基片,用原位制备法在基片上制备CeO2/YBCO双层膜,YBCO作为底层介质膜同时作为悬挂微掩模层支撑高温超导薄膜,CeO2薄膜是作为刻蚀YBCO膜时的光刻掩模层;在上述双层膜上制备光刻胶层,用微桥掩模的负版做掩模板,曝光显影光刻胶层后得到微桥区图形的光刻胶掩模;用等离子刻蚀法将微桥区的CeO2膜刻去制备出CeO2掩模;用稀磷酸腐蚀微桥区图形部分的YBCO膜,使得底层的YBCO彻底去除干净;放入脉冲激光淀积成膜系统中生长出所需要图形的高温超导薄膜,直接形成约瑟夫森结。 |
地址 |
210093江苏省南京市汉口路22号 |