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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem vertikalen Leistungstransistor (26) und mindestens einer Ansteuerschaltung (23) zum Ansteuern des vertikalen Leistungstransistors (26) sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. DOLLAR A Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement ist die Schichtdicke der einkristallinen Halbleiterschicht (2) in dem Bereich, in dem der vertikale Leistungstransistor (26) gebildet ist, kleiner als die Schichtdicke der einkristallinen Halbleiterschicht (2) in dem Bereich, in dem die Ansteuerschaltung (23) gebildet ist. Insbesondere kann dies dadurch erreicht werden, daß ein Oberflächenbereich (21), in dem der vertikale Leistungstransistor (26) gebildet ist, tiefer liegt als ein Oberflächenbereich (22), in dem die Ansteuerschaltung (23) gebildet ist. DOLLAR A Dadurch läßt sich der Einschaltwiderstand des Halbleiterbauelements reduzieren, ohne seine Spannungsfestigkeit zu beeinträchtigen.
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