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Verfahren zur Fertigung eines Transistors und eine Struktur desselben, wobei ein sehr flacher Bereich mit einer hohen Dotierungsstoffkonzentration von Germanium bei einem niedrigen Energieniveau in einen Kanalbereich eines Transistors implantiert wird, wobei ein amorpher Germaniumimplantationsbereich in einer Oberfläche des Werkstücks ausgebildet wird und ein kristalliner Germaniumimplantationsbereich unter dem amorphen Germaniumimplantationsbereich ausgebildet wird. Das Werkstück wird unter Verwendung eines Temperns mit niedriger Temperatur getempert, um den amorphen Germaniumbereich in einen kristallinen Zustand zu wandeln, während ein wesentliches Ausmaß von Diffusion von Germanium weiter in das Werkstück verhindert wird und auch einer durch den Implantationsprozess verursachten Schädigung des Werkstücks entfernt wird. Die sich ergebende Struktur umfasst einen kristallinen Germaniumimplantationsbereich an der Oberfläche eines Kanals, der eine Tiefe unter der Oberfläche des Werkstücks von etwa 120 Å oder weniger umfasst. Der Transistor hat eine erhöhte Beweglichkeit und eine verringerte effektive Oxiddicke (EOT).
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