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发明名称 METHOD OF FORMING GATE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050120574(A) 申请公布日期 2005.12.22
申请号 KR20050001779 申请日期 2005.01.07
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 YOO, JONG RYEOL;CHOI, GIL HEYUN;LEE, CHANG WON;LEE, BYUNG HAK;PARK, HEE SOOK;LIM, DONG CHAN;YOUN, SUN PIL;SOHN, WOONG HEE
分类号 H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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