主权项 |
1.一种具导线封装结构之平面显示面板,于一基板上至少包含:一显示区,系具有复数画素,画素依序包含一第一电极、一显示作动区与一第二电极;一连接导线区,具有复数连接导线,连接导线与第一电极相连接;一第一引线区,具有复数第一导引线;以及一第二引线区,具有复数第二导引线,第一导引线或第二导引线与第二电极相连接,且显示区系分别邻接于第一引线区、第二引线区以及连接导线区;其中,连接导线、第一导引线及/或第二导引线依序包含一第一导电层、一第二导电层与一封装保护层,且封装保护层系包覆第二导电层表面以及第一导电层与第二导电层侧边。2.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中第一引线区、第二引线区及/或连接导线区内的导线互不交错连接。3.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中第一引线区、第二引线区及/或连接导线区内的导线表面及导线间系为封装保护层所密封。4.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中基板为透明基板或可挠性基板。5.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中第一导电层为透明导电层。6.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中第一导电层系选自铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)及镉锡氧化物(CdSnO)至少其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中第二导电层系选自铝、铬、铜、银、镁银合金、银铜合金及银合金至少其中之一。8.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中第二导电层材料之导电率大于第一导电层材料之导电率。9.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中封装保护层的材料能隔离水、氧、大气入侵第一导电层及/或第二导电层。10.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中封装保护层系为不导电材质。11.如申请专利范围第10项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中封装保护层系选自环氧树脂、不饱和聚酯树脂、铁弗龙树脂、酚醛树脂及聚亚醯胺(polyimide)至少其中之一。12.如申请专利范围第10项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中封装保护层系选自氧化矽(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)至少其中之一。13.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中显示作动区系为被动发光的液晶显示区。14.一种具导线封装结构之平面显示面板,于一基板上至少包含:一显示区,系具有复数画素,画素依序包含一第一电极、一显示作动区与一第二电极;一连接导线区,具有复数连接导线,连接导线与第一电极相连接;一第一引线区,具有复数第一导引线;以及一第二引线区,具有复数第二导引线,第一导引线或第二导引线与第二电极相连接,且显示区系分别邻接于第一引线区、第二引线区以及连接导线区;其中,连接导线、第一导引线及/或第二导引线依序包含一导电层与一封装保护层,且封装保护层系包覆导电层表面以及侧边。15.如申请专利范围第14项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中第一引线区、第二引线区及/或连接导线区内的导线互不交错连接。16.如申请专利范围第14项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中第一引线区、第二引线区及/或连接导线区内的导线表面及导线间系为封装保护层所密封。17.如申请专利范围第14项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中基板为透明基板或可挠性基板。18.如申请专利范围第14项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中导电层系选自铝、铬、铜、银、镁银合金、银铜合金及银合金至少其中之一。19.如申请专利范围第14项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中封装保护层的材料能隔离水、氧、大气入侵导电层。20.如申请专利范围第14项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中封装保护层系为不导电材质。21.如申请专利范围第20项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中封装保护层系选自环氧树脂、不饱和聚酯树脂、铁弗龙树脂、酚醛树脂及聚亚醯胺(polyimide)至少其中之一。22.如申请专利范围第20项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中封装保护层系选自氧化矽(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)至少其中之一。23.如申请专利范围第14项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中显示作动区系为被动发光的液晶显示区。24.如申请专利范围第1项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中显示作动区系为主动发光的有机电激发光显示区。25.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第一引线区、第二引线区及/或连接导线区内的导线互不交错连接。26.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第一引线区、第二引线区及/或连接导线区内的导线表面及导线间系为封装保护层所密封。27.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中基板为透明基板或可挠性基板。28.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第一电极系选自铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)及镉锡氧化物(CdSnO)至少其中之一。29.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中有机电激发光区系至少包含一有机官能层。30.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第二电极系选自铝、钙、镁、铟、锡、锰、银、金及含镁之合金至少其中之一。31.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第一导电层为透明导电层。32.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第一导电层系选自铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)及镉锡氧化物(CdSnO)至少其中之一。33.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第二导电层系选自铝、铬、铜、银、镁银合金、银铜合金及银合金至少其中之一。34.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第二导电层材料之导电率大于第一导电层材料之导电率。35.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中封装保护层的材料能隔离水、氧、大气入侵第一导电层及/或第二导电层。36.如申请专利范围第24项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中封装保护层系为不导电材质。37.如申请专利范围第36项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中封装保护层系选自环氧树脂、不饱和聚酯树脂、铁弗龙树脂、酚醛树脂及聚亚醯胺(polyimide)至少其中之一。38.如申请专利范围第36项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中封装保护层系选自氧化矽(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)至少其中之一。39.如申请专利范围第14项所述之具导线封装结构之平面显示面板,其中显示作动区系为主动发光的有机电激发光显示区。40.如申请专利范围第39项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第一引线区、第二引线区及/或连接导线区内的导线互不交错连接。41.如申请专利范围第39项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第一引线区、第二引线区及/或连接导线区内的导线表面及导线间系为封装保护层所密封。42.如申请专利范围第39项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中基板为透明基板或可挠性基板。43.如申请专利范围第39项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第一电极系选自铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)及镉锡氧化物(CdSnO)至少其中之一。44.如申请专利范围第39项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中有机电激发光区系至少包含一有机官能层。45.如申请专利范围第39项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中第二电极系选自铝、钙、镁、铟、锡、锰、银、金及含镁之合金至少其中之一。46.如申请专利范围第39项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中导电层系选自铝、铬、铜、银、镁银合金、银铜合金及银合金至少其中之一。47.如申请专利范围第39项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中封装保护层的材料能隔离水、氧、大气入侵导电层。48.如申请专利范围第39项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中封装保护层系为不导电材质。49.如申请专利范围第48项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中封装保护层系选自环氧树脂、不饱和聚酯树脂、铁弗龙树脂、酚醛树脂及聚亚醯胺(polyimide)至少其中之一。50.如申请专利范围第48项所述之具导线封装结构之有机电激发光显示面板,其中封装保护层系选自氧化矽(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiOxNy)至少其中之一。图式简单说明:第1a与1b图系本发明具导线封装结构之平面显示面板(未显示上盖)之俯视图;第2图系本发明导线封装结构之示意图;以及第3图系本发明具导线封装结构之平面显示面板之立体图。 |