| 主权项 |
1.一种超解析度近场结构的高密度记录媒体,系由第二电介质体层、记录层、保护层、罩层、第一电介质体层、聚碳酸脂层顺次层积构成;其特征为,在该高融点金属氧化物或矽氧化物的罩层,利用因光或热使该高融点金属氧化物或矽氧化物的结晶构造变化及光学特性变化的物理变化,本发明利用该物理性变化所发生的近场。2.如申请专利范围第1项所述的超解析度近场结构的高密度记录媒体,其特征为该高融点金属氧化物为几乎全部可逆性的WOx。3.如申请专利范围第1项所述的超解析度近场结构的高密度记录媒体,其特征为该高融点金属氧化物为非可逆性的TaOx或AuOx。4.如申请专利范围第1项所述的超解析度近场结构的高密度记录媒体,其特征为该矽氧化物为非可逆性的SiOx。5.如申请专利范围第1项至第4项之任何一项所述的超解析度近场结构的高密度记录媒体,其特征为在该第二电介质体层的下部配置银(Ag)或铝(Al)的反射层。图式简单说明:第1图示使用先前之超解析度近场结构的高密度记录媒体。第2图示本发明实施例之超解析度近场结构的高密度记录媒体。第3图示记号长度与载波杂讯比(CNR)的关系曲线。第4图示记号长度与杂讯水准的相关曲线。 |
