发明名称 光电装置用基板及其制造方法、光电装置及其制造方法、曝光用光罩及电子机器
摘要 本发明的课题是在于藉由简易的制造过程来取得具有良好的光散乱效果的反射层。其解决手段为:曝光用光罩7a系使用于供以使膜体51的被加工区域511成为粗面的曝光处理。此曝光用光罩7a具有第1区域71与第2区域72。其中第1区域71系具有作为使往被加工区域511的周边的光透过之透光部81的机能。另一方面,第2区域72系包含复数个点区域721,该复数个点区域721分别设有遮蔽往被加工区域511的光之遮光部84,且以比透光部81更低的光透过率来使往被加工区域511的光透过之半透过部86会被设置于点区域721以外的区域。
申请公布号 TWI245967 申请公布日期 2005.12.21
申请号 TW093134152 申请日期 2004.11.09
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 中野智之;金子英树;大竹俊裕;泷泽圭二
分类号 G03F1/00 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种曝光用光罩,系使用于供以使膜体中被加工区域成为粗面的曝光处理之光罩,其特征系具有:第1区域,其系具有使往上述被加工区域的周边的光透过之透光部;及第2区域,其系具有分别设有遮蔽往上述被加工区域的光的遮光部之复数个点区域,且以比上述透光部更低的光透过率来使往上述被加工区域的光透过的半透过部会被设置于上述各点区域以外的区域。2.一种曝光用光罩,系使用于供以使膜体中被加工区域成为粗面的曝光处理之光罩,其特征系具有:第1区域,其系具有使往上述被加工区域的周边的光透过之透光部;及第2区域,其系具有分别设有以比上述透光部更低的光透过率来使往上述被加工区域的光透过的半透过部之复数个点区域,且遮蔽往上述被加工区域的光的遮光部会被设置于上述各点区域以外的区域。3.一种曝光用光罩,系使用于供以使膜体中被加工区域成为粗面的曝光处理之光罩,具有:第1区域,其系具有使往上述被加工区域的周边的光透过之透光部;及第2区域,其系具有分别设有遮蔽往上述被加工区域的光的遮光部之复数个点区域,且以比上述透光部更低的光透过率来使往上述被加工区域的光透过的半透过部会被设置于上述各点区域以外的区域;其特征系具有:周边透光部,其系设置于连接于上述各点区域的全周缘的区域,以和上述透光部略相同的光透过率来使光透过。4.一种曝光用光罩,系使用于供以使膜体中被加工区域成为粗面的曝光处理之光罩,具有:第1区域,其系具有使往上述被加工区域的周边的光透过之透光部;及第2区域,其系具有分别设有以比上述透光部更低的光透过率来使往上述被加工区域的光透过的半透过部之复数个点区域,且遮蔽往上述被加工区域的光的遮光部会被设置于上述各点区域以外的区域;其特征系具有:周边透光部,其系设置于连接于上述各点区域的全周缘的区域,以和上述透光部略相同的光透过率来使光透过。5.一种曝光用光罩,系使用于供以使膜体中被加工区域成为粗面的曝光处理之光罩,具有:第1区域,其系具有使往上述被加工区域的周边的光透过之透光部;及第2区域,其系具有分别设有遮蔽往上述被加工区域的光的遮光部之复数个点区域,且以比上述透光部更低的光透过率来使往上述被加工区域的光透过的半透过部会被设置于上述各点区域以外的区域;其特征系具有:周边透光部,其系设置于连接于上述各点区域的周缘的一部份的区域,以和上述透光部略相同的光透过率来使光透过。6.一种曝光用光罩,系使用于供以使膜体中被加工区域成为粗面的曝光处理之光罩,具有:第1区域,其系具有使往上述被加工区域的周边的光透过之透光部;及第2区域,其系具有分别设有以比上述透光部更低的光透过率来使往上述被加工区域的光透过的半透过部之复数个点区域,且遮蔽往上述被加工区域的光的遮光部会被设置于上述各点区域以外的区域;其特征系具有:周边透光部,其系设置于连接于上述各点区域的周缘的一部份的区域,以和上述透光部略相同的光透过率来使光透过。7.一种曝光用光罩,系使用于供以使膜体中被加工区域成为粗面的曝光处理之光罩,其特征系具有:第1区域,其系设有遮蔽往上述被加工区域的周边的光之遮蔽部;及第2区域,其系具有分别设有使往上述被加工区域的光透过的透光部之复数个点区域,且以比上述各透光部更低的光透过率来使往上述被加工区域的光透过的半透过部会被设置于上述各点区域以外的区域。8.一种曝光用光罩,系使用于供以使膜体中被加工区域成为粗面的曝光处理之光罩,其特征系具有:第1区域,其系设有遮蔽往上述被加工区域的周边的光之遮蔽部;及第2区域,其系具有分别设有使往上述被加工区域的光透过的半透过部之复数个点区域,且使往上述被加工区域的光透过的透光部会被设置于上述各点区域以外的区域,上述半透过部的光透过率比上述透光部的光透过率更低。9.如申请专利范围第1-8项的任一项所记载之曝光用光罩,其中上述半透过部的光透过率为10%以上40%以下。10.如申请专利范围第1-8项的任一项所记载之曝光用光罩,其中上述半透过部具有:遮蔽光的复数个微小遮光部,及使光透过的复数个微小透光部。11.如申请专利范围第10项之曝光用光罩,其中上述半透过部系于第1方向及与该第1方向相异的第2方向交替配置上述各微小遮光部及上述各微小透光部。12.如申请专利范围第11项之曝光用光罩,其中上述各微小遮光部及上述各微小透光部系各边的长度为2m以下的矩形状。13.如申请专利范围第10项之曝光用光罩,其中上述半透过部系将分别延伸于第1方向的上述各微小遮光部及上述各微小透光部交替配置于与上述第1方向正交的第2方向。14.如申请专利范围第13项之曝光用光罩,其中上述各微小遮光部及上述各微小透光部的宽度为2m以下。15.如申请专利范围第1-8项的任一项所记载之曝光用光罩,其中上述点区域的平面形状为多角形,其外接圆的直径为8m以上11m以下。16.如申请专利范围第1-8项的任一项所记载之曝光用光罩,其中上述点区域的平面形状为略扁圆形或外接圆为形成扁圆形的略多角形。17.如申请专利范围范围第16项之曝光用光罩,其中上述各点区域的长度方向系于上述复数个点区域略同一方向。18.如申请专利范围第1-8项的任一项所记载之曝光用光罩,其中占据于上述第1区域与上述第2区域的总面积之上述复数个点区域的面积的比例为30%以上60%以下。19.一种光电装置用基板的制造方法,系制造具备表面为粗面的底层及设置于该底层的粗面上的反射层之光电装置用基板的方法,其特征系具有:膜体形成过程,其系藉由正片型的感光性材料来形成膜体;曝光过程,其系经由曝光用光罩来曝光上述膜体之过程,利用上述曝光用光罩的遮光部来遮蔽往应形成上述粗面的突起的区域及应形成凹陷的区域的一方之来自光源的光,且使往该等区域的另一方之来自上述光源的光透过上述曝光用光罩的半透过部,藉此来使该光仅作用于上述膜体的厚度方向的一部份;显像过程,其系显像经过上述曝光过程的膜体,而形成上述底层;及反射层形成过程,其系于藉由上述显像过程而取得的底层的粗面上形成具有光反射性的上述反射层。20.如申请专利范围第19项之光电装置用基板的制造方法,其中在上述曝光过程中,藉由上述遮光部来遮蔽往应形成上述粗面的突起的区域之光,且藉由上述半透过部来使应形成该粗面的凹陷的区域之光透过,另一方面使透过设置于上述曝光用光罩之遮光部的周边的周边透光部之光折射于该遮光部的周缘,且使该折射光作用于应形成上述突起的顶上部的部份。21.一种光电装置用基板的制造方法,系制造具备表面为粗面的底层及设置于该底层的粗面上的反射层之光电装置用基板的方法,其特征系具有:膜体形成过程,其系藉由负片型的感光性材料来形成膜体;曝光过程,其系经由曝光用光罩来曝光上述膜体之过程,使往应形成上述粗面的突起的区域及应形成凹陷的区域的一方之来自光源的光透过上述曝光用光罩的透光部,藉此来使该光作用于上述膜体的厚度方向的全部,且使往该等区域的另一方之来自上述光源的光透过上述曝光用光罩的半透过部,藉此来使该光仅作用于上述膜体的厚度方向的一部份;显像过程,其系显像经过上述曝光过程的膜体,而形成上述底层;及反射层形成过程,其系于藉由上述显像过程而取得的底层的粗面上形成具有光反射性的上述反射层。22.一种光电装置的制造方法,系制造具备光电装置用基板的光电装置之方法,该光电装置用基板系具备表面为粗面的底层及设置于该底层的粗面上的反射层,其特征系具有:利用申请专利范围第19-21项的任一项所记载之方法来制造光电装置用基板之过程;及以能够和上述光电装置用基板的上述反射层呈对向之方式来配置光电物质之过程。23.一种光电装置用基板,其特征系具备:底层,其系于表面具有在各个顶上部形成有凹陷的复数个突起;及反射层,其系设置于上述底层中具有上述复数个突起的表面上,具有光反射性。24.一种光电装置用基板,其特征系具备:底层,其系于各个顶上面设有凹陷,且于表面具有平面形状为略扁圆形的复数个突起;及反射层,其系设置于上述底层中具有上述复数个突起的表面上,具有光反射性。25.一种光电装置,其特征系具备:第1基板及第2基板,其系互相对向,而夹持光电物质;底层,其系设置于上述第2基板中对向于上述光电物质的板面上的层,于表面具有在各个顶上部形成有凹陷的复数个突起;及反射层,其系设置于上述底层中具有上述复数个突起的表面上,具有光反射性。26.一种电子机器,其特征系具备申请专利第25项所记载的光电装置作为显示装置者。图式简单说明:图1是表示本发明之第1实施形态的液晶显示装置的构成剖面图。图2是表示扩大液晶显示装置的要部构成的立体图。图3是表示液晶显示装置的底层的表面形状的立体图。图4是表示扩大底层的突起的剖面图。图5是表示液晶显示装置中第2基板上的各要素制造过程的剖面图。图6是表示膜体中在曝光过程中进行光分解的部份的剖面图。图7是表示曝光用光罩的构成平面图。图8是表示曝光用光罩的构成剖面图。图9是表示采用灰色调的半透过部的具体构成平面图。图10是表示采用灰色调的半透过部的具体构成平面图。图11是表示扩大曝光用光罩的点区域的平面图。图12是表示从光源发射至点区域附近的光路径的剖面图。图13是表示第2实施形态之曝光用光罩的构成平面图。图14是表示第3实施形态之曝光用光罩的构成平面图。图15是表示第4实施形态之曝光用光罩的构成平面图。图16是表示扩大第5实施形态之液晶显示装置的底层及反射层的突起。图17是表示设置于底层的表面之复数个突起的形态平面图。图18是表示设置于底层的表面之复数个突起的其他形态平面图。图19是表示第5实施形态之曝光用光罩的构成平面图。图20是表示扩大第5实施形态之曝光用光罩的点区域的平面图。图21是表示从光源发射至点区域附近的光路径的剖面图。图22是表示变形例之液晶显示装置的构成剖面图。图23是表示扩大变形例之曝光用光罩的点区域的平面图。图24是表示变形例之点区域的形状平面图。图25是表示扩大变形例之曝光用光罩的点区域的平面图。图26是表示本发明之电子机器的一例,亦即行动电话机的构成立体图。图27是表示本发明之电子机器的一例,亦即数位相机的构成立体图。
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