| 主权项 |
1.一种用以制造半导体结构之方法,该结构在一侧上具有埋入带接触(13),特别是做为在半导体结构凹处(7)之电晶体源极/汲极区和电容电极间之接触,其特征在于利用PVD处理以倾斜角度()将光罩材料沉积到凹处(7),结果在基极区的一侧埋入带产生光罩楔(17),及光罩楔(17)在后续相对于光罩楔(17)选择性实行之各向异性蚀刻步骤做为光罩,以去除单面埋入带(13)。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于沉积粒子之角度范围()小于5,特别是小于2。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于倾斜角度()约在4到8间。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于所用光罩材料是非晶矽,及其中将可对非晶矽选择性蚀刻之覆盖层(15),特别是包含SiO2,在沉积该非晶矽前,在埋入带(13)上,于凹处(7)基极沉积。5.如以上申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于所用光罩材料是Al2O3。6.一种PVD装置,其用以沈积如申请专利范围第1项中所述之光罩楔(17)于一晶圆上,其特征在于该PVD装置具有:一准直器,其具有沉积粒子角度范围()小于5,特别是小于2;及一晶圆台,其使得晶圆(31)系以可倾斜方式安排于该装置中。7.如申请专利范围第6项之PVD装置,其特征在于PVD装置设计为准直器(33)纵横比至少1:2.5,最好是1:5之对准PVD装置,及晶圆(31)可于设置中倾斜。8.如申请专利范围第6项之PVD装置,其特征在于PVD装置设计为长距离PVD装置及溅镀靶(27)和晶圆表面间距离(a)至少2m,最好3m,及晶圆(31)可在设置中倾斜。9.如申请专利范围第6项之PVD装置,其特征在于PVD装置设计为I-PVD装置,及晶圆(31)于设置中可倾斜附着。10.如申请专利范围第9项之I-PVD装置,其特征在于一栅极(37)在磁控管等离子(35)和晶圆(31)表面间。11.如申请专利范围第10项之I-PVD装置,其特征在于在栅极(37)和晶圆台(29)间提供20-200V间之栅压(U)。12.如申请专利范围第10或11项之I-PVD装置,其特征在于栅极(37)之栅宽(w)在10m和1mm间,特别是约100m。13.如申请专利范围第10或11项之I-PVD装置,其特征在于栅极(37)和晶圆装置间距离是几cm。14.一种具有凹处(7)之晶圆,特别是具有具垂直电晶体,埋入带接触(13)之深沟电容,其特征在于利用申请专利范围第1项之方法制造埋入带接触(13),及故在所有情形,埋入带接触(13)放在和凹处(7)同一侧之晶圆(31)的一侧。图式简单说明:图1a-h显示利用依照第一范例实施例之方法,各种处理步骤中处理之深沟电容简化说明摘要,图2a-c显示利用依照第二范例实施例之方法之深沟电容简化说明摘要,以及图3a-c显示依照本发明改良之PVD装置三个范例实施例极概略说明。 |
