| 主权项 |
1.一种p型碳化矽(SiC)用电极,含有一种第一电极材料以及一种第二电极材料铝(Al),该第一电极材料以及该第二电极材料于600℃或以下之温度具有共熔反应。2.如申请专利范围第1项之p型SiC用电极,其中该第一电极材料为锗(Ge)。3.如申请专利范围第2项之p型SiC用电极,进一步包含一种第三电极材料钛(Ti)。4.如申请专利范围第1项之p型SiC用电极,其中由该第一电极材料制成之一层系成形为接触p型SiC。5.一种p型SiC用电极,包含一第一层锗(Ge),以及一第二层铝(Al),其中该第一层及第二层系循序形成于p型SiC上。6.如申请专利范围第5项之p型SiC用电极,进一步包含一第三层钛(Ti)形成于该第一层与第二层间。7.一种SiC装置,包括p型SiC,以及如申请专利范围第1项定义之p型SiC用电极且系形成于该p型SiC上。8.一种SiC装置,包括p型SiC,以及如申请专利范围第2项定义之p型SiC用电极且系形成于该p型SiC上。9.一种SiC装置,包括p型SiC,以及如申请专利范围第3项定义之p型SiC用电极且系形成于该p型SiC上。10.一种SiC装置,包括p型SiC,以及如申请专利范围第4项定义之p型SiC用电极且系形成于该p型SiC上。11.一种SiC装置,包括p型SiC,以及如申请专利范围第5项定义之p型SiC用电极且系形成于该p型SiC上。12.一种SiC装置,包括p型SiC,以及如申请专利范围第6项定义之p型SiC用电极且系形成于该p型SiC上。13.一种制造p型SiC用电极之方法,包含下列步骤:清洁p型SiC;形成一第一锗(Ge)层于该p型SiC上;以及进行加热处理。14.一种制造p型SiC用电极之方法,包含下列步骤:清洁p型SiC;形成一第一锗(Ge)层于该p型SiC上;形成一第二铝(Al)层;以及进行加热处理。15.如申请专利范围第14项之制造p型SiC用电极之方法,进一步包含一个形成第三钛(Ti)层之步骤。16.如申请专利范围第15项之制造p型SiC用电极之方法,其中该第一锗(Ge)层、该第三钛(Ti)层以及该第二铝(Al)层系循序形成于该经过清洁之p型SiC上且接受加热处理。17.如申请专利范围第13项之制造p型SiC用电极之方法,其中该加热处理温度为600℃或以下。18.如申请专利范围第14项之制造p型SiC用电极之方法,其中该加热处理温度为600℃或以下。19.一种制造SiC装置之方法,包括如申请专利范围第13项之制造一p型SiC用电极之各步骤。20.一种制造SiC装置之方法,包括如申请专利范围第14项之制造一p型SiC用电极之各步骤。21.一种制造SiC装置之方法,包括如申请专利范围第15项之制造一p型SiC用电极之各步骤。22.一种制造SiC装置之方法,包括如申请专利范围第16项之制造一p型SiC用电极之各步骤。23.一种制造SiC装置之方法,包括如申请专利范围第17项之制造一p型SiC用电极之各步骤。24.一种制造SiC装置之方法,包括如申请专利范围第18项之制造一p型SiC用电极之各步骤。图式简单说明:图1为线图,显示实验例结果,换言之,显示于600℃加热处理30分钟后,各试样之电流-电压(I-V)特性,其中曲线(a)显示Ge/Ti/Al及曲线(b)显示Ti/Al;以及图2为视图,显示本发明之一具体实施例之SiC装置1之组配状态。 |
