| 主权项 |
1.一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,包含:一炉管,系可提供不同温度的环境;一坩埚,系位于该炉管内;以及一旋转震动装置,系连接该坩埚,并对坩埚进行旋转震动。2.如申请专利范围第1项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该炉管系更包含一高温部与一低温部,该高温部提供一高温状态,该低温部提供一低温状态,高温状态提供大于原料物质之熔点的温度,低温状态提供小于原料物质之熔点的温度,因此,得以提供不同温度的环境。3.如申请专利范围第1项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该坩埚具有一晶种井及一生长区,该晶种井中系可容纳一晶种,该生长区中系容纳原料物质及分布于该原料物质中的掺杂。4.如申请专利范围第1项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该坩埚更包括一坩埚轴,以与旋转震动装置配合,达到旋转震动的稳定效果。5.如申请专利范围第1项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,更包含至少一轴承,设置于坩埚一端,以便坩埚于炉管中实质上为旋转方向震动。6.如申请专利范围第1项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该旋转震动装置之震动频率为不小于0.2赫兹。7.如申请专利范围第2项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该炉管更包含一绝热部,其系设置于该高温部与该低温部之间,以隔绝炉管的高温部与低温部之温度差。8.如申请专利范围第2项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该坩埚更可垂直移动,以便坩埚在炉管中为可旋转震动地自高温部移动至低温部。9.如申请专利范围第2项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该炉管更可垂直移动,以便坩埚在炉管中为可旋转震动并相对于炉管自高温部移动至低温部。10.如申请专利范围第2项或第3项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该原料物质可为下列任一种:有机材料、氧化物材料、超导体材料、金属材料、半导体材料。11.如申请专利范围第1项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该旋转震动装置系设置于该坩埚上方。12.如申请专利范围第1项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该旋转震动装置系设置于该坩埚下方。13.一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,包含:(1)提供一内部具有坩埚的炉管,且该坩埚内部容纳有一晶种与原料物质;(2)利用该炉管对坩埚加热,以熔化该原料物质;(3)提供一旋转震动装置,系对坩埚进行旋转震动,且再度利用炉管对坩埚冷却。14.如申请专利范围第13项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该炉管系更包含一高温部与一低温部,该高温部提供一高温状态,该低温部提供一低温状态,高温状态提供大于原料物质之熔点的温度,低温状态提供小于原料物质之熔点的温度,因此,得以加热与冷却该坩埚。15.如申请专利范围第13项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该坩埚具有一晶种井及一生长区,因此,该晶种井中系可容纳该晶种,该生长区中系容纳该原料物质及分布于该原料物质中的掺杂。16.如申请专利范围第13项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该坩埚更包括一坩埚轴,以与该旋转震动装置配合,达到旋转震动的稳定效果。17.如申请专利范围第13项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,更包含至少一轴承,设置于该坩埚一端,以便坩埚于炉管中实质上为旋转方向震动。18.如申请专利范围第13项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该旋转震动装置之震动频率为不小于0.2赫兹。19.如申请专利范围第14项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该炉管更包含一绝热部,其系设置于该高温部与该低温部之间,以隔绝炉管的高温部与低温部之温度差。20.如申请专利范围第14项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该坩埚更可垂直移动,以便坩埚在炉管中为可旋转震动地自高温部移动至低温部。21.如申请专利范围第14项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该炉管更可垂直移动,以便坩埚在炉管中为可旋转震动并相对于炉管自高温部移动至低温部。22.如申请专利范围第14项或第15项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该原料物质可为下列任一种:有机材料、氧化物材料、超导体材料、金属材料、半导体材料。23.如申请专利范围第13项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该旋转震动装置系设置于该坩埚上方。24.如申请专利范围第13项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法,其中,该旋转震动装置系设置于该坩埚下方。25.如申请专利范围第1项所述之一种旋转震动式单向凝固单晶生长系统,其中,该坩埚系垂直设置于炉管中。图式简单说明:第一图系习知技术单晶生长之熔融态与固态之界面示意图;第二图系习知技术离心式单晶生长系统示意图;第三图系本发明之一种旋转震动式的单向凝固单晶生长系统的一较佳实施例图式;第四图系本发明之一种旋转震动式单向凝固单晶生长方法步骤图式。 |
