| 主权项 |
1.一种元件之构装接合结构,其包含有:一第一基板,其表面具有复数个金属垫及一第一接合金属层;及一第二基板,其表面具有复数个电极及一第二接合金属层,该第二接合金属层接着固定于该第一接合金属层,使该第一基板系接合于第二基板,该金属垫电性导通于该电极。2.如申请专利范围第1项所述之元件之构装接合结构,其中该第一基板包含一黏着金属线路,系连接该金属垫与该电极。3.如申请专利范围第2项所述之元件之构装接合结构,其中该电极与该黏着金属线路间之接合,系以热压、超音波接合及表面活化处理接合其中之一方法来完成接合。4.如申请专利范围第2项所述之元件之构装接合结构,其中该电极与该金属垫间之接着固定,系先以超音波振荡及表面活化处理其中之一方法,处理该第一接合金属层与该第二接合金属层的欲接合面,再以热压与直接接合其中之一方法进行接合。5.如申请专利范围第1项所述之元件之构装接合结构,其中该第一基板包含一保护层,系披覆于该第一基板并露出该金属垫。6.如申请专利范围第5项所述之元件之构装接合结构,其中该第一基板包含一黏着金属线路,系连接于该金属垫且延伸覆盖于该保护层,并连接于该电极。7.如申请专利范围第6项所述之元件之构装接合结构,其中该第一基板之黏着线路系延伸至连接于该第二基板之该电极处。8.如申请专利范围第1项所述之元件之构装接合结构,其中该第二基板为一可挠性基板。9.如申请专利范围第8项所述之元件之构装接合结构,其中该可挠性基板为高分子材质基板。10.如申请专利范围第1项所述之元件之构装接合结构,其中该第二基板为一嵌入式基板,该电极与该第二接合金属层系嵌入于该第二基板仅露出其顶端表面。11.如申请专利范围第10项所述之元件之构装接合结构,其中该嵌入式基板之制造步骤包含:于一承载基板上沉积一金属层;蚀刻该金属层形成所需的该电极与该第二金属接合层;涂布一高分子层于该承载基板以覆盖该电极与该第二金属接合层;及去除该承载基板,露出嵌入于该高分子层之该电极与该第二金属接合层的顶端表面,以形成该嵌入式基板。12.如申请专利范围第1项所述之元件之构装接合结构,其中该第一接合金属层与该第二接合金属层间之接着固定,系以热压、超音波接合及表面活化处理接合其中之一方法来完成接合。13.如申请专利范围第1项所述之元件之构装接合结构,其中该第一接合金属层与该第二接合金属层间之接着固定,系先以超音波振荡及表面活化处理其中之一方法,处理该第一接合金属层与该第二接合金属层的欲接合面再以热压与直接接合其中之一方法进行接合。14.如申请专利范围第1项所述之元件之构装接合结构,其中该电极与该金属垫间之接着固定,系以热压、超音波接合或是表面活化处理接合其中之一方法来完成接合。15.如申请专利范围第1项所述之元件之构装接合结构,其中该电极与该金属垫间之接着固定,系先以超音波振荡及表面活化处理其中之一方法,处理该第一接合金属层与该第二接合金属层的欲接合面再以热压与直接接合其中之一方法进行接合。16.如申请专利范围第1项所述之元件之构装接合结构,更包含一接着剂,系用以结合该第一基板与该第二基板的边缘。图式简单说明:第1图为本发明第一实施例的放大截面示意图;第2图为本发明第二实施例的放大截面示意图;第3图为本发明第一实施例的放大截面示意图;及第4A图至第4D图为内嵌式基板的制造流程示意图。 |
