| 主权项 |
1.一种制作至少一接面变容器的方法,其包含有:进行一三重井制程,于一P型基底中形成至少一N型深井,于该N型深井中形成一P型井,于该P型井中形成至少一N型重掺杂区域,且该N型重掺杂区域、该P型井以及该N型深井,系构成一纵向NPN双载子电晶体;以及进行一接触制程,将该N型重掺杂区域以及该N型深井电连接至阳极,并将该P型井电连接至阴极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该N型重掺杂区域以及该P型井系构成一第一接面电容,该P型井以及该N型深井系构成一第二接面电容。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该接面变容器之单位电容系等于该第一接面电容以及该第二接面电容并联之等效单位电容。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该纵向NPN双载子电晶体系为一寄生双载子电晶体。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该P型井系被至少一N型井所包围,且该N型井系与该N型深井相接触。6.如申请专利范围第5项之方法,其中于进行该接触制程时,该N型井系被电连接至阳极。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该三重井制程系为一互补金属氧化物半导体三重井制程。8.一种制作至少一接面变容器的方法,其包含有:进行一三重井制程,于一第一导电型式之基底中形成至少一第二导电型式之第一掺杂井区,于该第一掺杂井区中形成一第一导电型式之第二掺杂井区,于该第二掺杂井区中形成至少一第二导电型式之重掺杂区域,且该重掺杂区域、该第二掺杂井区以及该第一掺杂井区系构成一纵向双载子电晶体;以及进行一接触制程,将该重掺杂区域以及该第一掺杂井区电连接至阳极,并将该第二掺杂井区电连接至阴极。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该第一导电型式系为一N型导电型式,该第二导电型式系为一P型导电型式,且该纵向双载子电晶体系为一寄生之PNP双载子电晶体。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该第一导电型式系为一P型导电型式,该第二导电型式系为一N型导电型式,且该纵向双载子电晶体系为一寄生之NPN双载子电晶体。11.如申请专利范围第8项之方法,其中该重掺杂区域以及该第二掺杂井区系构成一第一接面电容,该第二掺杂井区以及该第二掺杂井区系构成一第二接面电容。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该接面变容器之单位电容系等于该第一接面电容以及该第二接面电容并联之等效单位电容。13.如申请专利范围第8项之方法,其中该第二掺杂井区系被至少一第二导电型式之第三掺杂井区所包围,且该第三掺杂井区系与该第一掺杂井区相接触。14.如申请专利范围第13项之方法,其中于进行该接触制程时,该第三掺杂井区系被电连接至阳极。15.如申请专利范围第8项之方法,其中该三重井制程系为一互补金属氧化物半导体三重井制程。图式简单说明:第1图至第2图为习知技术中制作一接面变容器的剖面示意图。第3图为施加一逆向偏压于第2图之接面变容器时的示意图。第4图系为第3图之接面变容器的等效电路图。第5图系为利用习知技术所制作之接面变容器于各种PN接面时之接面电容-逆向偏压曲线图。第6图至第7图为本发明第一实施例中制作至少一接面变容器的剖面示意图。第8图为第7图之接面变容器的布局示意图。第9图为第7图之接面变容器的等效电路图。第10图为利用本发明方法所制作之接面变容器与利用习知技术所制作之接面变容器的接面电容-逆向偏压曲线图。第11图至第12图为本发明第二实施例中制作至少一接面变容器的剖面示意图。 |
