| 主权项 |
1.一种晶圆处理方法,用以处理一晶圆,包含:对该晶圆施行由一近接头所协助的一制程;利用一现场感测器来监测该制程之结果,该现场感测器包含由一光学感测器及一涡电流感测器所构成之群组至少其中之一;以及输出该监测结果。2.如申请专利范围第1项之晶圆处理方法,其中该制程包含由清洁制程、洗涤制程、乾燥制程、蚀刻制程、沉积制程以及电镀制程所组成的群组中之至少一种。3.如申请专利范围第1项之晶圆处理方法,其中该监测结果被即时输出。4.如申请专利范围第1项之晶圆处理方法,更包含根据该监测结果调整该制程。5.如申请专利范围第1项之晶圆处理方法,其中该监测结果被输出至一制程控制器。6.如申请专利范围第5项之晶圆处理方法,其中该制程控制器根据该监测结果调整该制程。7.如申请专利范围第6项之晶圆处理方法,其中该制程控制器即时调整该制程。8.一种晶圆处理系统,包含:至少一近接头,用以协助一制程;一现场感测器,用以监测该制程之结果,其中该现场感测器包含由一光学感测器及一涡电流感测器所构成之群组至少其中之一;以及一系统控制器,连接至该现场感测器以及该表面张力梯度装置,该系统控制器包含一制程处方。9.如申请专利范围第8项之晶圆处理系统,其中该制程包含由清洁制程、洗涤制程、蚀刻制程、沉积制程以及电镀制程所组成的群组中之至少一种。10.如申请专利范围第8项之晶圆处理系统,其中该监测结果被即时输出。11.如申请专利范围第8项之晶圆处理系统,其中该制程系在一弯月形部内进行,而该弯月形部系由该近接头所支持。12.如申请专利范围第11项之晶圆处理系统,其中该现场感测器系包含在该近接头内。13.如申请专利范围第12项之晶圆处理系统,其中该弯月形部包含围绕于该现场感测器之一乾燥区。14.如申请专利范围第8项之晶圆处理系统,其中该现场感测器可随同该表面张力梯度装置而移动。15.如申请专利范围第8项之晶圆处理系统,其中该现场感测器可独立于该近接头而移动。图式简单说明:图1显示根据本发明之一实施例的一晶圆处理系统;图2A显示根据本发明之一实施例的一晶圆处理系统之另一视图;图2B显示夹住一晶圆之一晶圆处理系统的侧视放大图,系根据本发明之一实施例;图2C显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的侧视放大图;图3A显示根据本发明一实施例的具有双近接头之一晶圆处理系统的俯视图;图3B显示根据本发明一实施例的具有双近接头之一晶圆处理系统的侧视图;图4A显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的俯视图,此系统具有晶圆之特定一面所用的多个近接头;图4B显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的侧视图,此系统具有晶圆之特定一面所用的多个近接头;图5A显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的俯视图,此系统在顺着晶圆之直径延伸方向上之水平结构中具有多个近接头;图5B显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的侧视图,此系统在顺着晶圆之直径延伸方向上之水平结构中具有多个近接头;图5C显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的俯视图,此晶圆处理系统在水平结构中具有多个近接头,且用以施行一或多个制程予静止的晶圆;图5D显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的侧视图,此晶圆处理系统在水平结构中具有多个近接头,用以处理静止的晶圆;图5E显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的侧视图,此晶圆处理系统在铅直结构中具有多个近接头,可处理静止的晶圆;图5F显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的另一侧视图,此图系将图5E的侧视图旋转90度而得;图5G显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的俯视图,此系统在顺着晶圆之半径延伸方向上之水平结构中具有一近接头;图5H显示根据本发明一实施例的一晶圆处理系统的侧视图,此系统在顺着晶圆之半径延伸方向上之水平结构中具有多个近接头;图6A显示根据本发明一实施例的一近接头的输入口和排出口之取向结构,此输入口和排出口可被使用在施行一制程于晶圆;图6B显示根据本发明一实施例的另一近接头的输入口和排出口之取向结构,此输入口和排出口可被使用在施行一制程于晶圆;图6C显示根据本发明一实施例的又一近接头的输入口和排出口之取向结构,此输入口和排出口可被使用在施行一制程于晶圆;图6D显示根据本发明一实施例的一典型之晶圆乾燥制程的较佳实施例,其藉一近接头而接触;图6E显示使用根据本发明一实施例的另一输入口/排出口取向结构的另一乾燥制程,其藉一近接头而接触;图6F显示根据本发明一实施例的另一来源输入口/排出口取向结构,其中一额外的来源输入口被用以输入一额外液体;图7A显示根据本发明一实施例之用以施行一典型之乾燥动作的近接头;图7B显示根据本发明之一实施例的近接头之一部份的俯视图;图8A显示根据本发明一实施例的近接头之侧视图,系使用在一双晶圆表面处理系统中;图8B显示根据本发明一实施例的位于双晶圆表面处理系统中的近接头;图9A显示根据本发明之一实施例的一处理窗口;图9B显示根据本发明之一实施例的一实质上圆形之处理窗口;图10A显示根据本发明一实施例的一典型之近接头;图10B显示根据本发明一实施例的一近接头的剖视图;图11A显示由根据本发明一实施例的近接头所形成的典型之弯月形部俯视图;图11B显示由根据本发明一实施例的近接头所形成的典型之弯月形部侧视图;图12A显示根据本发明之一实施例的一晶圆处理系统;图12B显示根据本发明之一实施例的一晶圆处理系统;图13显示根据本发明之一实施例的一晶圆处理系统之方块图;以及图14为根据本发明一实施例的一方法动作的流程图,此方法动作用以在现场监测近接头的制程。 |
