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1.一种用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其包括下面的步骤:探测一晶圆上的每个晶粒;针对每个晶粒来判断探测结果究竟系成功或失败;如果探测结果系失败的话,便重新探测该晶粒并且判断该重新探测结果究竟系成功或失败;一旦探测过全部晶粒之后,便可决定成功的晶粒重新探测率;将该重新探测的成功率和一预设限制値作比较;以及如果该重新探测的成功率大于该预设限制値的话,那麽便可判定该探测状态为不稳定。2.如申请专利范围第1项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中判定探测状态为不稳定的步骤包括于该监视装置上设定一旗标。3.如申请专利范围第2项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中判定探测状态为不稳定的步骤进一步包括发出警示声音及/或于一监视器上提供一指示信号。4.如申请专利范围第2或3项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中判定探测状态为不稳定的步骤进一步包括关闭该探测设备。5.如申请专利范围第1项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中重新探测第一次探测结果为失败之任何晶粒的步骤会实施预设次数。6.如申请专利范围第5项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中仅会针对第一次探测结果为失败的每个晶粒重新探测一次。7.如申请专利范围第5项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中重新探测可能会实施一次以上。8.如申请专利范围第1项中之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,进一步包括针对每片晶圆产生一探测参考档。9.如申请专利范围第8项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中该探测参考档含有一重新探测限制値、重新探测还原率资讯、一晶粒仓重新探测限制値、一敏感性限制値、以及重新探测的还原率。10.如申请专利范围第9项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中该重新探测还原率资讯包括一限制数値。11.如申请专利范围第10项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中就具有数百个以上晶粒的晶圆而言,该限制値为2%。12.如申请专利范围第10项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中可将该限制値设为先前所提供之资料的重新探测还原率之标准差的三倍。13.如申请专利范围第9项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中该敏感性限制値包括和一晶圆中预期的敏感性晶粒数量有关的资料。14.如申请专利范围第9项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中可以下面的公式来决定重新探测的还原率:15.如申请专利范围第8项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中该方法进一步包括从每个已完成之晶圆测试的探测参考档中产生一份报告的步骤。16.如申请专利范围第15项之用于侦测及监视晶圆探测稳定性之方法,其中该份报告包括装置识别资讯以及从失败至良好的探测资讯。17.一种侦测及监视晶圆探测稳定性之系统,其中该系统系被设计成:探测一晶圆上的每个晶粒;针对每个晶粒来判断探测结果究竟系成功或失败;如果探测结果系失败的话,便重新探测该晶粒并且判断该重新探测结果究竟系成功或失败;一旦探测过全部晶粒之后,便可决定成功的晶粒重新探测率;将该重新探测的成功率和一预设限制値作比较;以及如果该重新探测的成功率大于该预设限制値的话,那麽便可判定该探测状态为不稳定。图式简单说明:图1所示的系一测试器模组和一探测该晶圆的探测器之间的通信示意图;图2所示的系制造流程的流程图;图3所示的系一特殊晶圆的重新探测还原率;图4所示的系数片晶圆上之探测器的效能;以及图5所示的系一份探测报告范例图。 |
