发明名称 具有高解析度的光罩及接触窗开口的形成方法
摘要 一种具有高解析度的光罩,包括一透光基板、一不透光板及多数个遮蔽物。其中,不透光板系配置在透光基板上,且不透光板系具有多数个条状透光图案而暴露出部分透光基板,而且各条状透光图案系互相平行且等间距配置。而多数个遮蔽物系配置于各条状透光图案中之透光基板上,并且沿着各条状透光图案的延伸方向等间距配置,而且各遮蔽物系未与不透光板接触或重叠。
申请公布号 TWI245968 申请公布日期 2005.12.21
申请号 TW093141316 申请日期 2004.12.30
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 林大为
分类号 G03F1/16 主分类号 G03F1/16
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种具有高解析度的光罩,包括:一透光基板;一不透光板,配置在该透光基板上,且该不透光板系具有多数个条状图案而暴露出部分该透光基板,而且各该条状图案系互相平行且等间距配置;以及多数个遮蔽物,配置于各该条状透光图案中之该透光基板上,并且沿着各该条状图案的延伸方向等间距配置,而且各该遮蔽物系未与该不透光板接触或重叠。2.如申请专利范围第1项所述之具有高解析度的光罩,其中各该遮蔽物系配置于垂直该延伸方向的方向上之各该条状图案的中央位置。3.如申请专利范围第1项所述之具有高解析度的光罩,其中各该遮蔽物的外形系对称于一座标平面之X轴及Y轴。4.如申请专利范围第3项所述之具有高解析度的光罩,其中各该遮蔽物的外形包括圆形、四边形、六边形或八边形。5.如申请专利范围第1项所述之具有高解析度的光罩,其中该光罩所适用之曝光源包括一偏轴发光(off-axis illumination)光源。6.如申请专利范围第5项所述之具有高解析度的光罩,其中该偏轴发光光源为环形发光光源、四孔(quadrupole)发光光源或二孔(dipole)发光光源。7.如申请专利范围第1项所述之具有高解析度的光罩,其中相邻之各该条状透光图案之间系具有一第一间距,而在该延伸方向上,相邻之各该遮蔽物之间系具有一第二间距,且各该第二间距小于各该第一间距。8.一种接触窗开口的形成方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一光阻材料层;以及利用一光罩对该光阻材料层进行一微影制程,以形成一图案化之光阻层,其中该光罩包括:一透光基板;一不透光板,配置在该透光基板上,且该不透光板系具有多数个条状透光图案而暴露出部分该透光基板,而且各该条状透光图案系互相平行且等间距配置;以及多数个遮蔽物,配置于各该条状透光图案中之该透光基板上,并且沿着各该条状透光图案的延伸方向等间距配置,而且各该遮蔽物系未与该不透光板接触或重叠;以及以该图案化之光阻层为罩幕,蚀刻该基底。9.如申请专利范围第8项所述之接触窗开口的形成方法,其中各该遮蔽物系配置于垂直该延伸方向的方向上之各该条状透光图案的中央位置。10.如申请专利范围第8项所述之接触窗开口的形成方法,其中各该遮蔽物的外形系对称于一座标平面之X轴及Y轴。11.如申请专利范围第10项所述之接触窗开口的形成方法,其中各该遮蔽物的外形包括圆形、四边形、六边形或八边形。12.如申请专利范围第8项所述之接触窗开口的形成方法,其中该光罩所适用之曝光源包括一偏轴发光(off-axis illumination)光源。13.如申请专利范围第12项所述之接触窗开口的形成方法,其中该偏轴发光光源为环形发光光源、四孔(quadrupole)发光光源或二孔(dipole)发光光源。14.如申请专利范围第8项所述之接触窗开口的形成方法,其中相邻之各该条状透光图案之间系具有一第一间距,而在该延伸方向上,相邻之各该遮蔽物之间系具有一第二间距,且各该第二间距小于各该第一间距。图式简单说明:图1A系绘示习知一种光罩的上视图。图1B系绘示习知一种图案化光阻层的上视图。图2系绘示本发明一较佳实施例之光罩的上视图。图3A-图3C系绘示本发明一较佳实施例接触窗开口的制造流程剖面图。图4A系绘示图3A中图案化光阻层之上视图。图4B系绘示图3B中介电层之上视图。
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