| 主权项 |
1.一种光电装置,系属于在挟持光电物质的基板上,具有至少在每像素电气性连接于一个或多数配线的像素开关用之主动元件和光反射膜的光电装置,其特征为:上述光反射膜之下层侧中,与该光反射膜平面性重叠的区域,设置有以规定图案而选择性形成至少与上述一个或多数配线,及形成于该些配线之层间或上层或下层的绝缘膜中之1层同层之薄膜的凹凸形成薄膜,和该凹凸形成薄膜之非形成区域,于上述光反射膜之表面上,藉由上述凹凸形成用薄膜之形成区域和非形成区域形成有凹凸图案。2.如申请专利范围第1项所记载之光电装置,其中,于上述光反射膜之下层侧且上述凹凸形成用薄膜之上层侧上,形成有平坦化膜。3.如申请专利范围第2项所记载之光电装置,其中,上述平坦化膜厚系在上述图案高低差之1/2倍至2倍的范围内。4.如申请专利范围第1项至第3项中之任一项所记载之光电装置,其中,于上述凹凸形成用薄膜上,至少包含有与上述配线中之一个相同层的导电膜。5.如申请专利范围第4项所记载之光电装置,其中,由与上述配线中之一个同层的导电膜所组成之上述凹凸形成用薄膜,系与上述配线电气性分离。6.如申请专利范围第1项至第3项中之任一项所记载之光电装置,其中,上述主动元件为薄膜电晶体或是薄膜二极体,上述配线中之一个为扫描线。7.如申请专利范围第1项至第3项中之任一项所记载之光电装置,其中,上述主动元件为薄膜电晶体,上述配线中之一个为资料线。8.如申请专利范围第1项至第3项中之任一项所记载之光电装置,其中,上述主动元件为薄膜电晶体,上述配线也包含扫描线以及资料线,上述凹凸形成用薄膜也包含由与扫描线和资料线之各相同层所构成的导电膜。9.如申请专利范围第8项所记载之光电装置,其中,上述导电膜之膜厚各具有500nm以上。10.如申请专利范围第9项所记载之光电装置,其中,上述导电膜相当于厚度尺寸至少1/2之部分系由铝膜、钽膜、钼膜或以该些金属中之任一者为主成分之合金膜所构成。11.如申请专利范围第10项所记载之光电装置,其中,上述导电膜系藉由乾蚀刻法而被加工。12.如申请专利范围第11项所记载之光电装置,其中,于上述凹凸形成用薄膜上至少包含有绝缘膜。13.如申请专利范围第12项所记载之光电装置,其中,于上述绝缘膜上包含有由与形成于比主动元件以及配线下层的基底保护层相同层所构成之绝缘层。14.如申请专利范围第13项所记载之光电装置,其中,上述配线为多数,于上述绝缘膜上包含有由与用以电气性绝缘该些多数配线间之层间绝缘膜相同层所构成之绝缘层。15.如申请专利范围第14项所记载之光电装置,其中,于上述绝缘膜上,包含有由与被形成于上述配线上层之保护绝缘膜相同层所构成之绝缘层。16.如申请专利范围第15项所记载之光电装置,其中,上述绝缘膜相当于厚度尺寸至少1/2之部分系由矽氧化膜所构成。17.如申请专利范围第16项所记载之光电装置,其中,上述绝缘膜系藉由乾蚀刻法所形成而构成之。18.如申请专利范围第17项所记载之光电装置,其中,上述主动元件为薄膜电晶体。于上述凹凸形成用薄膜之下层上,平面性重叠着与上述薄膜电晶体之主动层同层的半导体膜。19.如申请专利范围第18项所记载之光电装置,其中,上述凹凸图案系不具有邻接凸部持有20m以下之平面距离而重覆之区域。20.如申请专利范围第19项所记载之光电装置,其中,上述凹凸图案之高低差为500nm以上。21.如申请专利范围第20项所记载之光电装置,其中,上述凹凸之高低差为800nm以上。22.如申请专利范围第21项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜系形成外周缘不具有锐角而持有平面形状。23.如申请专利范围第22项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜系使用以由所使用之微影成像装置之解像度2倍以下之长度所构成之多角形而所描画出之掩模而所形成。24.如申请专利范围第23项所记载之光电装置,其中,构成上述凹凸图案之凸部及凹部,无论哪一个之对基板倾斜之角度为3度以下之平坦部分的平面尺寸皆为10m以下。25.如申请专利范围第24项所记载之光电装置,其中,上述凹凸图案系在邻接凸部间之平面距离为上述凹凸图案之高低差之5倍至20倍的范围内。26.如申请专利范围第25项所记载之光电装置,其中,在构成上述凹凸图案之各凸部之间侧面倾斜角的偏差在面内为10度以下。27.如申请专利范围第26项所记载之光电装置,其中,在构成上述凹凸图案之各凸部之间侧面倾斜角的偏差在面内为5度以下。28.如申请专利范围第27项所记载之光电装置,其中,构成上述凹凸图案之各凸部,系侧面倾斜相对于该凸部之中心为非对称。29.如申请专利范围第28项所记载之光电装置,其中,构成上述凹凸图案之各凸部,系侧面倾斜为陡峭部分朝向明视方向。30.如申请专利范围第29项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜至少系由多数导电膜所构成,该些多数导电膜之剩余凸图案,系至少部分的互相平面性重叠,而且,重叠之中心与各图案之中心为不一致的非对称图案。31.如申请专利范围第30项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜至少系由多数绝缘膜所构成,开口于该些多数绝缘膜之剩余凸图案,系至少部分性互相的平面性重叠,而且,重叠之中心与各图案之中心为不一致的非对称图案。32.如申请专利范围第31项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜系由至少一个绝缘膜和至少一个导电膜所构成,上述导电膜之所剩余的凸图案和开口于上述绝缘膜之凹图案之中心系分布成平面性非对称。33.如申请专利范围第32项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜,系具有构成上述凹凸图案之凸部下层侧的残留图案,常被形成在比上侧层之残留图案还外侧上,构成上述凹凸图案之凹部下层侧的开口图案,被形成在比上侧层之开口部还内侧上而构成的顺圆锥形状。34.如申请专利范围第33项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜至少系由多数导电膜所形成,在上层残留导电膜之凸图案,系常被形成于在下层残留导电膜之凸图案之形成区域之内侧区域上。35.如申请专利范围第34项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜至少系由多数绝缘膜所形成,在下层开口于绝缘膜上之凹图案,系常被形成于上层绝缘膜上所形成之凸图案之形成区域的内侧区域上。36如申请专利范围第35项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜至少系由一个绝缘膜和至少一个导电膜所形成,上述导电膜之残留凸图案和被开口于上述绝缘膜之凹图案,系不具有互相平面性重叠之部分。37.如申请专利范围第36项所记载之光电装置,其中,上述凹凸形成用薄膜系由多数绝缘膜或导电膜所形成,各绝缘或导电膜膜厚为800nm以下。38.如申请专利范围第37项所记载之光电装置,其中,上述光电物质为液晶。39一种电子机器,其特征为:以申请专利范围第1项至第38项中之任一项所规定之光电装置作为显示装置而予以使用。图式简单说明:第1图系由对向基板侧观看光电装置之时的平面图。第2图系第1图之H-H'线的剖面图。第3图系光电装置中,形成有被配置成矩阵状之多数像素的各种元件、配线等之等效电路图。第4图系表示本发明之实施形态1所涉及之光电装置中,形成于TFT阵列基板上之各像素之构成的平面图。第5图系将本发明之实施形态1所涉及之光电装置在相当于第4图A-A'线之位置切断时的剖面图。第6图系表示放大第5图所示之光电装置中,在偏离像素开关用之TFT的形成区域的区域中,形成凹凸图案于反射膜表面之样子的剖面图。第7图(A)~(F)系表示本发明之实施形态1所涉及之光电装置之TFT阵列基板之制造方法的工程剖面图。第8图(A)~(E)系本发明之实施形态1所涉及之光电装置之TFT阵列基板之制造方法中,持续第7图所示之工程而所进行之各工程的工程剖面图。第9图(A)~(D)系本发明之实施形态1所涉及之光电装置之TFT阵列基板之制造方法中,持续第8图所示之工程而所进行之各工程的工程剖面图。第10图(A)~(D)系本发明之实施形态1所涉及之光电装置之TFT阵列基板之制造方法中,持续第9图所示之工程而所进行之各工程的工程剖面图。第11图(A)、(B)系表示本发明之实施形态2所涉及之光电装置之TFT阵列基板之制造方法中,其特征性之工程的工程剖面图。第12图系表示放大本发明之实施形态2所涉及之光电装置中,在偏离像素开关用之TFT形成区域的区域中,形成凹凸图案于反射膜表面之样子的剖面图。第13图(A)、(B)系表示本发明之实施形态3所涉及之光电装置之TFT阵列基板之制造方法中,其特征性之工程的工程剖面图。第14图系表示放大本发明之实施形态3所涉及之光电装置中,在偏离像素开关用之TFT形成区域的区域中,形成凹凸图案于反射膜表面之样子的剖面图。第15图系表示放大本发明之实施形态4所涉及之光电装置中,在偏离像素开关用之TFT形成区域的区域中,形成凹凸图案于反射膜表面之样子的剖面图。第16图系表示放大本发明之实施形态5所涉及之光电装置中,在偏离像素开关用之TFT形成区域的区域中,形成凹凸图案于反射膜表面之样子的剖面图。第17图系本发明之实施形态6所涉及之光电装置之剖面图。第18图系表示将本发明所涉及之光电装置当作显示装置使用之电子机器的电路构成之方块图。第19图系表示作为使用本发明所涉及之光电装置之电子机器之一实施形态的携带型个人电脑的说明图。第20图系表示作为使用本发明所涉及之光电装置之电子机器之一实施形态的行动电话机的说明图。第21图系以往之光电装置的剖面图。 |
