| 主权项 |
1.一种消除耦合杂讯干扰之方法,适用于一金属编码唯读记忆体,该唯读记忆体包括:复数条位元线,分别将同一行O-codes之电晶体之汲极耦接在一起;复数条字元线,分别将同一列电晶体之闸极耦接在一起;复数个预充电电晶体,配置于每一该些位元线上,且该些预充电电晶体之闸极系由一预充电控制线耦接在一起;以及复数个紧固电晶体,配置于每一该些位元线上,用以对一个固定电压紧固;其中,当该些位元线其中之一被选取时,相邻两侧之位元线藉由该些紧固电晶体被固定至一电压値。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些紧固电晶体系呈矩阵式地配置于每一该些位元线上。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中当相邻两侧之位元线藉由该些紧固电晶体被固定至一电压値,系处于一字元线脉波是高的期间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该唯读记忆体为唯读记忆体,其编码层为金属、接触窗或导通窗。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该位元线包括四种型态:选择的阅读、未选择的阅读、预先充电与紧固。6.一种消除耦合杂讯干扰之方法,适用于一金属编码唯读记忆体,该唯读记忆体包括:复数条位元线,分别将同一行O-codes之电晶体之汲极耦接在一起;以及复数条字元线,分别将同一列电晶体之闸极耦接在一起;其中奇数位元线上皆配置一第一电晶体,偶数位元线上皆配置一第二电晶体,一第一预充电控制线将奇数位元线之该第一电晶体的闸极耦接在一起,一第二预充电控制线将偶数位元线之该第二电晶体的闸极耦接在一起;当奇数或偶数之该些位元线其中之一条被选取时,奇数或偶数之该些位元线藉由对应控制之该些位元线上之电晶体被固定至一电压値。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该些第一与第二电晶体同时具有预充电以及紧固电压之功能。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该些第一与第二电晶体具有预充电或紧固电压之功能。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中当该些位元线藉由对应控制之该些位元线上之电晶体被固定至一电压値时,系处于一字元线脉波是高的期间。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该唯读记忆体为唯读记忆体,其编码层为金属、接触窗或导通窗(via)。11.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该位元线包括四种型态:选择的阅读、未选择的阅读、预先充电与紧固。图式简单说明:第1图显示一种习知技艺中位元线上读取错误之示意图;第2图显示一种依据本发明位元线读取之示意图;第3图显示一种于常规唯读记忆体中在预充电之电路图;第4图显示一种依据本发明一较佳实施例之电路图;第5图显示一种依据本发明另一较佳实施例之电路图;第6图显示一种依据本发明再一较佳实施例之电路图。 |
