| 主权项 |
1.一种制造发射电磁辐射(尤其是光线)用之半导体 元件所用之方法,其特征为具有以下步骤: (a)提供n-导电基板, (b)在此n-导电基板上至少涂布一个n-导电层, (c)以一遮罩在n-导电层中产生电流限制结构, (d)在n-导电层上涂布用于产生辐射的活性层, (e)在活性层上至少涂布一p-导电层,以及 (f)产生p-接触与n-接触。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中 此电流限制结构藉由p-掺杂物质的扩散或植入而 产生。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中 电流限制结构藉由氢的扩散或植入或藉由部份氧 化而产生。 4.一种制造发射电磁辐射(尤其是光线)用之半导体 元件所用之方法,其特征为具有以下步骤: (a)提供n-导电基板, (b)在n-导电基板上至少涂布一个p-导电层及/或电 绝缘层, (c)以一遮罩,在p-导电层及/或电绝缘层中产生n-导 电电流路径,因此构成电流限制结构, (d)在此p-导电层及∕或电绝缘层上涂布用于产生 辐射的活性层, (e)在活性层上至少涂布一p-导电层,以及 (f)产生p-接触与n-接触。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中 电流路径藉由n-掺杂物质的扩散或植入而产生。 6.如申请专利范围第4项之方法,其中 藉由装入氢而产生一绝缘层,并且藉由热处理排出 氢而产生电流路径。 7.一种制造发射电磁辐射(尤其是光线)用之半导体 元件所用之方法,其特征为具有以下步骤: (a)提供n-导电基板, (b)以一遮罩,在n-导电层中产生电流限制结构, (c)在n-导电基板上至少涂布一n-导电层, (d)在n-导电层上涂布一产生辐射的活性层, (e)在活性层上至少涂布一p-导电层,以及 (f)产生p-接触与n-接触。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中 此电流限制结构藉由p-掺杂物质的扩散或植入而 产生。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中 此电流限制结构藉由氢的扩散或植入,或藉由部份 氧化而产生。 10.如申请专利范围第1至9项中任一项之方法,其中 使用Al2O3-、SiO2-、或Si3N4遮罩作为遮罩。 图式简单说明: 第1图是根据本发明第一实施形式之半导体雷射。 第2至6图是制造根据第1图之半导体雷射所用之方 法。 第7至8图是制造根据第1图之半导体雷射所用之其 他方法。 第9图是根据本发明第二实施形式之半导体雷射。 第10至12图是制造根据第9图之半导体雷射所用之 方法。 第13图是根据本发明第三实施形式之半导体LED。 第14至16图是制造根据第13图之半导体发光二极体( LED)所用之方法。 第17图是根据本发明第四实施形式之半导体LED。 第18至20图是制造根据第17图之半导体LED所用之方 法。 |
