| 主权项 |
1.一种奈米碳管基板制法,其包括下列步骤: a.设置导电层: 于一基板上设置一导电层; b.设置奈米碳管层: 于导电层上设置一奈米碳管层,该奈米碳管层中具 有多数之奈米碳管以及多数粒径小于奈米碳管长 度之支撑颗粒,且以黏胶使奈米碳管与导电层黏结 及支撑颗粒与导电层相互黏结,而能由支撑颗粒供 奈米碳管靠抵,而令奈米碳管呈站立状而凸出; c.烧结: 将设置奈米碳管层步骤完成后之基板进行烧结,使 奈米碳管、支撑颗粒与导电层稳固结合。 2.依申请专利范围第1项所述之奈米碳管基板制法, 其中更包括下列步骤: d.设置介电层: 于奈米碳管层上设置一介电层; e.设置闸极层: 于介电层上设置一闸极层,并依显示时所需之阵列 位置进行蚀刻而形成多数孔,使奈米碳管层中凸出 之奈米碳管在各孔中露出来作为场发射源。 3.依申请专利范围第1项所述之奈米碳管基板制法, 其中在b.设置奈米碳管层之步骤中,系将支撑颗粒 、奈米碳管与黏胶混拌后,再涂布于导电层上而形 成前述之奈米碳管层。 4.依申请专利范围第1项所述之奈米碳管基板制法, 其中在b.设置奈米碳管层之步骤中,系先将支撑颗 粒与黏胶混拌后涂布于导电层上形成凹凸形态之 表面,再将奈米碳管与黏胶混拌后再涂布于支撑颗 粒形成之凹凸表面上,而形成前述之奈米碳管层。 5.依申请专利范围第4项所述之奈米碳管基板制法, 其中在b.设置奈米碳管层之步骤中于支撑颗粒与 黏胶混拌时更掺混有多数导电粒子,俾使奈米碳管 与导电层之电性连结作用。 6.一种奈米碳管基板制法,其包括下列步骤: a.设置导电层: 于一基板上设置一导电层,该导电层中具有多数支 撑颗粒,使导电层表面形成凹凸之形态; b.设置奈米碳管层: 于导电层上设置一奈米碳管层,该奈米碳管层系由 多数之奈米碳管混拌黏胶后涂布于导电层上所形 成,且奈米碳管之长度系大于支撑颗粒之粒径,使 奈米碳管在由支撑颗粒所形成之凹凸表面的支撑 下呈站立状而凸出; c.烧结: 将设置奈米碳管层步骤完成后之基板进行烧结,使 奈米碳管、支撑颗粒与导电层稳固结合。 7.依申请专利范围第6项所述之奈米碳管基板制法, 其中更包括下列步骤: d.设置介电层: 于奈米碳管层上设置一介电层; e.设置闸极层: 于介电层上设置一闸极层,并依显示时所需之阵列 位置进行蚀刻而形成多数孔,使奈米碳管层中凸出 之奈米碳管在各孔中露出来作为场发射源。 8.一种奈米碳管基板结构,其系于一基板上设置一 导电层,而该导电层上设置有一奈米碳管层,该奈 米碳管层具有多数之奈米碳管以及多数粒径小于 奈米碳管长度之支撑颗粒,且以黏胶使奈米碳管与 导电层及支撑颗粒与导电层相互黏结,而能由各支 撑颗粒供各奈米碳管靠抵,令各奈米碳管呈站立状 而凸出。 9.依申请专利范围第8项所述之奈米碳管基板结构, 其中该奈米碳管层上依序叠设一介电层与一闸极 层,且介电层与闸极层依显示时所需之阵列位置分 别具有一孔,使各孔之位置中的奈米碳管露出来作 为场发射源。 10.依申请专利范围第8项所述之奈米碳管基板结构 ,其中该奈米碳管层中具有多数导电粒子,俾使奈 米碳管与导电层之电性连结作用。 11.一种奈米碳管基板结构,其系于一基板上设置一 导电层,该导电层中具有多数支撑颗粒,使该导电 层表面形成凹凸之形态,而该导电层上设置有一奈 米碳管层,该奈米碳管层具有多数之奈米碳管,各 奈米碳管之长度系大于支撑颗粒之粒径,且以黏胶 使奈米碳管与导电层相互黏结,而能由各支撑颗粒 供各奈米碳管靠抵,令各奈米碳管呈站立状而凸出 。 12.依申请专利范围第11项所述之奈米碳管基板结 构,其中该奈米碳管层上依序叠设一介电层与一闸 极层,且介电层与闸极层依显示时所需之阵列位置 分别具有一孔,使各孔之位置中的奈米碳管突露出 来作为场发射源。 图式简单说明: 第1图系本发明之制法的流程方块图 第2图系本发明之制法的制作流程示意图 第3图系本发明之奈米碳管基板的结构示意图 第4图系本发明第二实施例之结构示意图 第5图系本发明第三实施例之制作流程示意图 第6图系习用之场发射显示器的基本结构示意图 第7图系习用之奈米碳管场发射显示器结构示意图 |
