发明名称 微影装置,元件制造方法及基板架
摘要 本发明提供一种基板架,具有一高度不小于100 um的薄板及至少10真空埠,配置在一区域延伸至该基板的半径的三分之二。藉此凹晶圆可有效地由产生一初始真空在一区域钳着,其用力钳着以使晶圆变平且容许初始真空以加深直至该晶圆完全被钳着。
申请公布号 TWI245975 申请公布日期 2005.12.21
申请号 TW092136153 申请日期 2003.12.19
申请人 ASML公司 发明人 罗博特 尼可丹 贾库巴 范 巴利高伊;ROBERTUS NICODEMUS JACOBUS;玛堤纳 爱基 威兰 邱派斯;派特 琼汉斯 哲特迪 枚捷;GERTRUDIS;捷德斯 派特拉 美希 范 努耐;MATTHIJS;琼斯特 捷恩 欧毕登
分类号 G03F7/20;H01L21/027;H01L21/68 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种微影装置,包含: -一照明系统,用以提供照射的一投射光束; -一支撑结构,用以支撑成型装置,该成型装置则作 为以其横截面阻挡投射光束; -一具有一基板架的基板台,用以支撑一基板,该基 板架包含多个凸出直立于一表面上及具有共面终 端,一壁环绕该凸出物及多个真空埠开孔至该壁所 环绕的空间;及 -一投射系统,用以投射该成型光束在该基板的一 目标部分,其特征在于 -该凸出物具有一不多于100m的高度及有10个以上 的真空埠,皆开孔在由该壁所环绕的空间之中央埠 内,该中央埠具有一不大于基板半径的70%的一半径 。 2.如申请专利范围第1项之微影装置,其中该等凸出 物之高度不小于60m。 3.如申请专利范围第2项之微影装置,其中该等凸出 物之高度系于70-80m范围。 4.如申请专利范围第1、2或3项之微影装置,其中该 等开孔朝向中央区域的真空埠之数目系于20-40之 间。 5.如申请专利范围第1、2或3项之微影装置,其中该 等开孔朝向一环状区域的真空埠具有一外径不大 于该基板半径的70%及一内径不小于基板半径的40% 。 6.一种元件制造方法,包含下列步骤: -提供一基板; -真空化基板间空间及一基板架固定该基板,该基 板架包含多个从一表面上直立的凸出物及具有实 质的共平面终端,一壁环绕该凸出物及多个真空埠 开孔向该壁所结合的空间; -使用一照明系统提供照射的一投射光束; -以一成型在其横截面使用成型装置以阻挡该投射 光束;及 -投射照明的成型光束在该基板的一目标部分,其 特征为 -各凸出物具有一不大于100m的高度且其有10或更 多真空埠并具所有开孔向由该壁所结合的空间之 一中央区域,该中央区域具有一不大于该基板的半 径的70%之半径。 7.一种基板架,包含多个凸出物自一表面直立及具 有实质的共平面终端,一壁环绕该凸出物及多个真 空埠开孔向该壁所结合的空间;其特征在于: 各凸出埠具有一高度不小于100m及至少10个或更 多真空埠配置在该壁所环绕的空间的一中央区域, 该中央区域具有一不大于该基板的半径的70%之半 径。 图式简单说明: 图1描述根据本发明的一显影装置; 图2是图1的装置之一基板架的一平面图; 图3是钳住一晶圆W的一基板架的一部份剖面图; 图4则展示图3的基板之下的真空压力; 图5则是钳住一凹晶圆之初始步骤之一基板架的一 部份剖面图;及 图6则图示图5内该晶圆下真空压力。
地址 荷兰