| 主权项 |
1.一种金刚石复合基板,其包含金刚石单结晶基板 与以气相合成法叠层于其上之金刚石多结晶膜。 2.如申请专利范围第1项之金刚石复合基板,其中上 述金刚石单结晶基板之面积最大的主要面之面方 位与{100}面之面方位的差为5度之内,上述金刚石多 结晶膜叠层于与该主要面相平行之对面。 3.如申请专利范围第2项之金刚石复合基板,其中上 述主要面为{100}面。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之金刚石复合 基板,其中上述金刚石单结晶基板板厚的主要面间 之距离为0.1mm以上1mm以下。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之金刚石复合 基板,其中叠层于上述金刚石单结晶基板上之金刚 石多结晶膜的厚度为0.1mm以上1mm以下。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项之金刚石复合 基板,其中上述金刚石单结晶基板之板厚与金刚石 多结晶膜之厚度的比率为1:1~1:4之范围。 7.如申请专利范围第1至3项中任一项之金刚石复合 基板,其中上述金刚石单结晶基板包含面积最大之 主要面的面方位一致之复数个金刚石单结晶体,由 藉由气相合成法于该金刚石单结晶体上形成之金 刚石多结晶膜将此等复数个金刚石单结晶体接合 。 8.如申请专利范围第7项之金刚石复合基板,其中相 对于与上述复数个金刚石单结晶体之各个主要面 相垂直的轴之旋转方向的方位差为2度以内,并且 各个主要面之面方位与{100}面之面方位的差为5度 以内。 9.如申请专利范围第8项之金刚石复合基板,其中上 述复数个金刚石单结晶体之主要面的面方位为{100 }。 10.如申请专利范围第7项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之各个板厚的差为10 m以内。 11.如申请专利范围第8项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之各个板厚的差为10 m以内。 12.如申请专利范围第9项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之各个板厚的差为10 m以内。 13.如申请专利范围第7项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之间产生的缝隙为500 m以下。 14.如申请专利范围第8项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之间产生的缝隙为500 m以下。 15.如申请专利范围第9项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之间产生的缝隙为500 m以下。 16.如申请专利范围第10项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之间产生的缝隙为500 m以下。 17.如申请专利范围第11项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之间产生的缝隙为500 m以下。 18.如申请专利范围第12项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之间产生的缝隙为500 m以下。 19.一种金刚石复合基板,其相对于与各金刚石单结 晶体之各个主要面相垂直的轴之旋转方向的方位 差为2度以内,并且金刚石单结晶基板包含各个主 要面之面方位与{100}面之面方位的差为5度以内之 复数个金刚石单结晶体,由藉由气相合成法形成于 与该复数个金刚石单结晶体之各个主要面相平行 的对面上之金刚石多结晶膜将各金刚石单结晶体 接合,进而,该主要面上以将金刚石单结晶基板作 为种结晶而成长之气相合成金刚石单结晶进行全 面一体化。 20.如申请专利范围第19项之金刚石复合基板,其中 上述复数个金刚石单结晶体之主要面的面方位为{ 100}。 21.如申请专利范围第19或20项之金刚石复合基板, 其中上述复数个金刚石单结晶基板板厚的主要面 间之距离为0.1mm以上1mm以下。 22.如申请专利范围第19或20项之金刚石复合基板, 其中上述金刚石单结晶体上气相合成之金刚石多 结晶膜的厚度为0.1mm以上1mm以下。 23.如申请专利范围第19或20项之金刚石复合基板, 其中上述金刚石单结晶体之板厚与金刚石多结晶 膜之厚度的比率为1:1~1:4之范围。 24.如申请专利范围第19或20项之金刚石复合基板, 其中上述复数个金刚石单结晶体间产生之缝隙为 500m以下。 25.如申请专利范围第19或20项之金刚石复合基板, 其中上述复数个金刚石单结晶体之各个板厚的差 为10m以内。 26.如申请专利范围第19或20项之金刚石复合基板, 其中上述金刚石多结晶膜之表面被研磨。 27.如申请专利范围第19或20项之金刚石复合基板, 其中上述金刚石多结晶膜之表面粗糙度为Rmax 0.1 m以下。 28.一种金刚石复合基板之制造方法,其特征为将面 方位一致之复数个金刚石单结晶体排列配置,藉由 气相合成法于该单结晶体上气相合成金刚石多结 晶膜,以金刚石多结晶膜将复数个金刚石单结晶体 接合。 29.如申请专利范围第28项之金刚石复合基板之制 造方法,其中相对于与上述复数个金刚石单结晶体 之各个面积最大的主要面相垂直之轴的旋转方向 之方位的偏差为2度以内,并且各个主要面之面方 位与{100}面之面方位的差为5度以内。 30.如申请专利范围第29项之金刚石复合基板之制 造方法,其中构成上述金刚石单结晶体之面中面积 最大的主要面为{100}面。 31.如申请专利范围第28至30项中任一项之金刚石复 合基板之制造方法,其中上述金刚石单结晶体之板 厚为0.1mm以上1mm以下。 32.如申请专利范围第28至30项中任一项之金刚石复 合基板之制造方法,其中气相合成于上述金刚石单 结晶体上之金刚石导结晶膜的厚度为0.1mm以上1mm 以下。 33.如申请专利范围第28至30项中任一项之金刚石复 合基板之制造方法,其中上述金刚石单结晶体之板 厚与金刚石多结晶膜之厚度的比率为1:1~1:4之范围 。 34.如申请专利范围第28至30项中任一项之金刚石复 合基板之制造方法,其中上述复数个金刚石单结晶 体之各个板厚的差为10m以内。 35.如申请专利范围第28至30项中任一项之金刚石复 合基板之制造方法,其中上述复数个金刚石单结晶 体间产生之缝隙为500m以下。 图式简单说明: 图1系本发明中使用之金刚石单结晶基板之概略图 。 图2系使用本发明之金刚石复合基板的热传导试验 之概略图。 图3系用以制造本发明之金刚石复合基板的金刚石 单结晶基板之配置图。 图4系以本发明制造之大型金刚石复合基板的概略 图。 图5系利用本发明之金刚石复合基板的大型金刚石 单结晶之制造例。 |
