发明名称 记忆体晶片之散热片
摘要 一种记忆体晶片之散热片,其系为一个可覆盖记忆体上晶片表面之方形散热片,在散热片之上下两侧分别一体延伸出一勾片,该勾片恰可勾扣于记忆体之电路板上之开口,使散热片稳固的与晶片表面接触,以达到散热效果。
申请公布号 TWM284032 申请公布日期 2005.12.21
申请号 TW094214663 申请日期 2005.08.26
申请人 张菀倩 发明人 张菀倩
分类号 G06F1/20;H05K7/20 主分类号 G06F1/20
代理机构 代理人 刘活木 台北市信义区信义路4段415号6楼之6
主权项 1.一种记忆体晶片之散热片,系用以组合于记忆体 之晶片表面,并且该记忆体之电路板于晶片之上下 侧开设有开口;其系包括:一散热片本体,系可覆盖 晶片之表面;及,一对分别自上述本体上及下缘靠 近中心点一体延伸的勾片,该勾片外端形成勾体; 藉勾体穿过电路板之开口而将散热片本体固定于 晶片之表面,以将晶片产生之热量以传导排出。 2.依据申请专利范围第1项所述之记忆体晶片之散 热片,其中散热片本体的四个角隅形成翻折的突缘 ,以抓持晶片。 3.依据申请专利范围第1项所述之记忆体晶片之散 热片,其中散热片本体中心形成一凹陷部,该凹陷 部内面在组合时与晶片之表面接触。 4.依据申请专利范围第3项所述之记忆体晶片之散 热片,其中散热片本体上沿着凹陷部形成有多数个 透孔。 5.依据申请专利范围第1项所述之记忆体晶片之散 热片,其中勾片的外端经一导角向下翻折出勾体。 6.依据申请专利范围第1项所述之记忆体晶片之散 热片,其中勾片与散热片本体连接的内端具有一小 段凸墙。 7.依据申请专利范围第6项所述之记忆体晶片之散 热片,其中凸墙延伸入散热片本体之上缘,并将凸 墙与本体折成一倾斜角度。 8.依据申请专利范围第1项所述之记忆体晶片之散 热片,其中勾片外端的勾体形成向外延伸的弧形勾 体。 9.依据申请专利范围第1项所述之记忆体晶片之散 热片,其中勾片外端的勾体向上形成"U"型折片状, 该"U"型折片状之宽度是大于电路板上开口的宽度 。 10.依据申请专利范围第9项所述之记忆体晶片之散 热片,其中"U"型折片状勾体的两侧面向外冲出凸点 。 图式简单说明: 第一图代表一种具有习知的晶片散热片结构之记 忆体, 第一A图代表第一图中A部分的放大平面视图, 第一B图代表第一图中B部分的放大平面视图, 第二图代表第一图的侧面视图, 第三图代表本创作第一种实施例的立体外观图, 第四图代表第三图之侧面视图,并显示组合于记忆 体上, 第五图代表第三图之俯视图, 第六图代表本创作第二种实施例的立体外观图, 第七图代表第六图之侧面视图, 第八图代表第六图之俯视图, 第九图代表本创作第三种实施例的立体外观图, 第十图代表第九图之侧面视图, 第十一图代表第九图之俯视图, 第十二图代表本创作第四种实施例的立体外观图, 第十三图代表第十二图之侧面视图, 第十四图代表第十二图之俯视图, 第十四A图代表第十二图所示实施例未与电路板组 合前, 第十四B图代表第十二图所示实施例与电路板组合 后, 第十五图代表第十二图所示之实施例之勾体进一 步变化图, 第十六图代表本创作第一种实施例之另一态样的 立体图, 第十七图代表本创作第十六图之侧面视图, 第十八图代表第十六图之俯视图。
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