发明名称 混合积体电路装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种可提高导电图案与电路基板之连接部位之可靠性之混合积体电路装置及其制造方法。本发明之混合积体电路装置之制造方法系包括:于由金属所构成之基板表面设置绝缘层(17)之工序;于绝缘层(17)之表面以构成复数个单元(32)的方式形成导电图案(18)之工序;于各单元(32)的导电图案(18)电性连接电路元件(14)之工序;贯穿各单元(32)之绝缘层(17)而形成露出孔(9),使电路基板(16)自露出孔(9)之底部露出之工序;于各单元(32)之露出孔(9)之底部形成平坦部(9A)之工序;以金属细线电性连接前述各单元之平坦部与导电图案之工序;以及分离前述各单元(32)之工序。
申请公布号 TWI246368 申请公布日期 2005.12.21
申请号 TW093135361 申请日期 2004.11.18
申请人 三洋电机股份有限公司;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 金久保优
分类号 H05K1/00;H01L23/48 主分类号 H05K1/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路80号6楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路80号6楼
主权项 1.一种混合积体电路装置,系包括: 由金属所构成之电路基板; 被覆于前述电路基板表面之绝缘层; 形成于前述绝缘层表面之导电图案; 配置并电性连接于前述导电图案之所希望位置之 电路元件; 贯穿前述绝缘层使前述电路基板露出之露出孔; 形成于前述露出孔底面之平坦部;以及 电性连接前述平坦部与前述导电图案之金属细线 。 2.如申请专利范围第1项之混合积体电路装置,其中 ,使用与电性连接前述平坦部与前述导电图案之金 属细线相同粗细之金属细线,电性连接前述电路元 件与前述导电图案。 3.如申请专利范围第1项之混合积体电路装置,其中 ,前述电路基板与前述金属细线系由相同种类的金 属所构成。 4.一种混合积体电路装置之制造方法,系包括: 于由金属所构成之电路基板表面设置绝缘层之工 序; 于前述绝缘层表面形成导电图案之工序; 贯穿前述绝缘层而形成露出孔,使前述电路基板自 前述露出孔之底部露出之工序; 于前述露出孔之底部形成平坦部之工序; 于前述导电图案电性连接电路元件之工序;以及 将前述平坦部与导电图案以金属细线电性连接之 工序。 5.一种混合积体电路装置之制造方法,系包括: 于由金属所构成之电路基板表面设置绝缘层之工 序; 于前述绝缘层之表面以构成复数个单元的方式形 成导电图案之工序; 贯穿前述各单元之前述绝缘层而形成露出孔,使前 述电路基板自前述露出孔之底部露出之工序; 于前述各单元之前述露出孔之底部形成平坦部之 工序; 于前述各单元之前述导电图案电性连接电路元件 之工序; 将前述各单元之前述平坦部与前述导电图案以金 属细线电性连接之工序;以及 分离前述各单元之工序。 6.如申请专利范围第4项或第5项之混合积体电路装 置之制造方法,其中,前述电路基板系由以铝为主 要材料之金属所构成,且藉由使用穿孔器形成前述 露出孔,而使前述露出孔之底部形成为粗糙面。 7.如申请专利范围第4项或第5项之混合积体电路装 置之制造方法,其中,前述电路元件与前述导电图 案系使用与连接前述平坦部与前述导电图案之金 属细线相同粗细之金属细线连接。 8.如申请专利范围第4项或第5项之混合积体电路装 置之制造方法,其中,前述金属细线的材料系使用 与前述电路基板相同之金属。 9.如申请专利范围第4项或第5项之混合积体电路装 置之制造方法,其中,前述露出孔系使用直径lmm以 上之穿孔器形成者。 l0.如申请专利范围第4项或第5项之混合积体电路 装置之制造方法,其中,前述平坦部系藉由使形成 为平滑之抵接棒之前端部与前述底部抵接而形成 者。 图式简单说明: 第1图系本发明混合积体电路装置之斜视图(A)、剖 视图(B)。 第2图系本发明混合积体电路装置之斜视图(A)、剖 视图(B)。 第3图系说明本发明混合积体电路装置之制造方法 之俯视图(A)、斜视图(B)、放大图(C)。 第4图系说明本发明混合积体电路装置之制造方法 之剖视图(A)、剖视图(B)。 第5图系说明本发明混合积体电路装置之制造方法 之俯视图(A)、斜视图(B)、放大图(C)。 第6图系说明本发明混合积体电路装置之制造方法 之斜视图(A)、剖视图(B)。 第7图系说明本发明混合积体电路装置之制造方法 之剖视图(A)、剖视图(B)。 第8图系说明本发明混合积体电路装置之制造方法 之俯视图。 第9图系说明本发明混合积体电路装置之制造方法 之剖视图。 第10图系说明本发明混合积体电路装置之制造方 法之斜视图(A)、剖视图(B)。 第11图系说明本发明混合积体电路装置之制造方 法之剖视图。 第12图系习知混合积体电路装置之斜视图(A)、剖 视图(B)、剖视图(C)。
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