| 主权项 |
1.一种用于抛光微电子基材之浆液,该浆液包含表 面改质氧化矽,其中该表面改质氧化矽包含一种具 有主要颗粒之集合体的氧化矽,该集合体之尺寸小 于五(5)微米,且其中该氧化矽具有每平方奈米之表 面积上为等于或多于7个氢氧基之氢氧基含量。 2.如申请专利范围第1项之浆液,其中该表面改质氧 化矽包含有一种经以选自一有机基、一有机金属 基或其混合物中之至少一物质加以改质的氧化矽 。 3.如申请专利范围第1项之浆液,其中该集合体具有 一小于一(1)微米之集合尺寸。 4.如申请专利范围第1项之浆液,其中该集合体具有 一小于半(0.5)微米之凝聚尺寸。 5.如申请专利范围第2项之浆液,其中该表面改质氧 化矽包含一种经以有机矽烷改质的氧化矽。 6.如申请专利范围第5项之浆液,其中该表面改质氧 化矽包含一种经以二甲基二氯矽烷改质的氧化矽 。 7.如申请专利范围第1项之浆液,其中该浆液提供一 种可自该微电子基材移除铜、钽及二氧化矽的移 除性。 8.如申请专利范围第7项之浆液,其中钽相对于二氧 化矽之移除速率的比率系大于2。 9.如申请专利范围第7项之浆液,其中钽相对于铜之 移除速率的比率系至少1。 10.如申请专利范围第1项之浆液,其中该表面改质 氧化矽包含有况淀氧化矽。 11.如申请专利范围第10项之浆液,其中该沉淀氧化 矽包含有集合体,该集合体可降低至小于五(5)微米 之集合尺寸。 12.如申请专利范围第11项之浆液,其中该集合体可 以藉着湿式研磨方法降低其集合尺寸。 13.如申请专利范围第1项之浆液,其中该表面改质 氧化矽包含有该氧化矽及至少一种共价键结于该 氧化矽的物质。 14.一种用于自微电子基材移除铜、钽及二氧化矽 的浆液,该浆液包含表面改质氧化矽,其中该表面 改质氧化矽更包含一种氧化矽,该氧化矽包含有每 平方奈米之表面积上为等于或多于7个氢氧基的氢 氧基含量。 15.如申请专利范围第14项之浆液,其中该氧化矽包 含有主要颗粒的集合体。 16.如申请专利范围第15项之浆液,其中该集合体具 有小于五(5)微米的集合尺寸。 17.如申请专利范围第15项之浆液,其中该集合体具 有小于一(1)微米的集合尺寸。 18.如申请专利范围第15项之浆液,其中该集合体具 有小于半(0.5)微米的集合尺寸。 19.如申请专利范围第16项之浆液,其中该氧化矽更 包含有每奈米平方之表面积上为等于或多于10个 氢氧基之氢氧基含量。 20.如申请专利范围第14项之浆液,其中该表面改质 氧化矽包含有一种经以选自一有机基、一有机金 属基或其混合物中之一物质加以改质的氧化矽。 21.如申请专利范围第14项之浆液,其中该表面改质 氧化矽包含一种经以有机矽烷改质的氧化矽。 22.如申请专利范围第14项之浆液,其中该表面改质 氧化矽包含一种经以二甲基二氯矽烷改质的氧化 矽。 23.如申请专利范围第14项之浆液,其中该浆液提供 一种可自该微电子基材移除铜、钽及二氧化矽的 移除性。 24.如申请专利范围第23项之浆液,其中钽相对于二 氧化矽之移除速率的比率系大于2。 25.如申请专利范围第23项之浆液,其中钽相对于铜 之移除速率的比率系至少1。 26.如申请专利范围第14项之浆液,其中该表面改质 氧化矽包含有沉淀氧化矽。 27.一种用于自微电子基材移除铜、钽及二氧化矽 的浆液,该浆液包含表面改质氧化矽,其中当抛光 压力基本上呈定速增加时,钽之移除速率基本上呈 非线性地增加,且其中该表面改质氧化矽更包含有 氧化矽,该氧化矽包含有每平方奈米之表面积上为 等于或多于7个氢氧基之氢氧基含量。 28.一种用于自微电子基材移除选自铜、钽及二氧 化矽中至少一物质的浆液,该浆液包含有经由一化 学部分加以改质的氧化矽,以产生一非普雷斯顿式 之移除速率,且其中该氧化矽更包含有每平方奈米 之表面积上为等于或多于7个氢氧基之氢氧基含量 。 29.一种用于抛光微电子基材的方法,系包含将一包 含有表面改质氧化矽之浆液施用至该基材上,其中 该表面改质氧化矽包含一种氧化矽,该氧化矽包含 有主要颗粒之集合体,该集合体具有小于五(5)微米 之尺寸,且其中该氧化矽具有每平方奈米之表面积 上为等于或多于7个氢氧基之氢氧基含量。 图式简单说明: 第1图系显示一以表面改质氧化矽进行障壁移除之 CMP制程的图。 第2图系显示氧化矽研磨颗粒藉由以二甲基矽烷醇 基处理氧化矽矽烷醇而被部份地改质。 第3图系比较例14之资料的图。 |
