| 主权项 |
1.一种气相成长方法,其系于反应室内藉由原料气 体于基板上形成薄膜之气相成长方法,且其特征在 于,使用包含下列机构之装置: 反应室; 流路,其于上述基板上供给原料气体、并排出原料 气体; 基板保持部,其保持上述基板; 移动机构,其使该基板保持部与上述流路相对移动 ; 控制机构,其控制该移动机构;以及 加热机构,其加热上述基板;且 上述控制机构于结晶成长前预先计测各成长条件 之流路与基板保持部之相对位置,保存计测之位置 资料, 依据设定之成长条件与保存之位置资料,控制基板 保持部或流路之位置以使流路与基板之相对位置 之变化变小。 2.如请求项1之气相成长方法,其中以流路内之基板 保持侧之底面与基板之结晶成长面位于大致同一 平面之方式控制基板保持部之位置或流路之位置 。 3.如请求项1之气相成长方法,其中设定之成长条件 为两个以上。 4.如请求项1之气相成长方法,其中上述成长条件包 含基板之加热温度。 5.如请求项1之气相成长方法,其中上述成长条件包 含反应室之内压。 6.如请求项1之气相成长方法,其中上述控制机构于 达到设定之成长条件之前结束上述控制。 7.如请求项1之气相成长方法,其中上述控制机构于 达到设定之成长条件之后亦实行上述控制。 8.一种气相成长装置,其系于反应室内藉由原料气 体于基板上形成薄膜之气相成长装置,且其特征在 于包含: 反应室; 流路,其于上述基板上供给原料气体、排出原料气 体; 基板保持部,其保持上述基板; 移动机构,其使该基板保持部与上述流路相对移动 ; 控制机构,其控制该移动机构;以及 加热机构,其加热上述基板;且 上述控制机构于结晶成长前预先计测各成长条件 之流路与基板保持部之相对位置,保存计测之位置 资料, 依据设定之成长条件与保存之位置资料,控制基板 保持部之位置或流路之位置以使流路与基板之相 对位置之变化变小。 图式简单说明: 图1系说明适用本发明之横型MOCVD装置之模式图。 图2系说明于适用本发明之横型MOCVD装置中,于第1 实施例将被处理基板加热至第1温度之状态的模式 图。 图3系说明于适用本发明之横型MOCVD装置中,于第1 实施例将被处理基板加热至第1温度后,使移动机 构动作而调整位置后之状态的模式图。 图4系说明于适用本发明之横型MOCVD装置中,于第2 实施例变化反应室之内压后之状态的模式图。 图5系说明于适用本发明之横型MOCVD装置中,于第2 实施例变化反应室之内压后,使移动机构动作而调 整位置后之状态的模式图。 图6系说明先前之横型MOCVD装置的模式图。 图7系说明先前之横型MOCVD装置的模式图。 图8系说明本发明之控制机构之构成的模式图。 |
