| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体,其包含有: 一基板; 一下导电层设于该基板上,该下导电层包含有镍酸 镧; 一电阻层设于该下导电层上,该电阻层包含有锆酸 锶薄膜;以及 一上导电层设于该电阻层上。 2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其 中该电阻层系为含有掺质之锆酸锶薄膜,该掺质包 含有钒、锆、铁、铌或其组合。 3.如申请专利范围第2项所述之非挥发性记忆体,其 中该锆酸锶薄膜中掺质之浓度大抵为0.05%至1%。 4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其 中该电阻层之厚度大抵为20至500奈米。 5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其 中该下导电层之厚度大抵为10至1000奈米。 6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其 中该非挥发性记忆体另包含有一绝缘层设置于该 基板表面,而该下导电层系设置于该绝缘层上。 7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体,其 中该非挥发性记忆体另包含有一缓冲层,设于该绝 缘层与该下导电层之间。 8.如申请专利范围第7项所述之非挥发性记忆体,其 中该缓冲层系由具有一特定晶体方向之钛酸锶晶 体薄膜所构成,且该缓冲层之厚度约为20至100奈米 。 9.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆体,其 中该缓冲层与该下导电层均由具有方向性之晶体 结构所构成,且该缓冲层与该下导电层具有相同之 晶体排列方向。 10.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体, 其中该下导电层系为具有一特定晶体排列方向之 镍酸镧单晶结构。 11.如申请专利范围第10项所述之非挥发性记忆体, 其中该镍酸镧单晶结构之方向包含有(100)、(200)或 (110)。 12一种非挥发性记忆体的制作方法,其包含有: 提供一基板; 利用磁控溅镀法于该基板表面形成一下导电层; 于该下导电层上形成一电阻层,该电阻层包含有锆 酸锶薄膜;以及 于该电阻层上形成一上导电层。 13.如申请专利范围第12项所述之一种非挥发性记 忆体的制作方法,其中该下导电层包含有镍酸镧薄 膜。 14.如申请专利范围第12项所述之一种非挥发性记 忆体的制作方法,其中该下导电层具有一特定晶体 排列方向,该晶体排列方向包含有(100)、(110)或(200) 。 15.如申请专利范围第12项所述之一种非挥发性记 忆体的制作方法,其中该方法在形成该下导电层之 前,另包含有于该基板表面形成一缓冲层,该缓冲 层具有一特定晶体排列方向,之后再于该缓冲层上 形成该下导电层,以使该下导电层具有与该缓冲层 相同之晶体排列方向。 16.如申请专利范围第15项所述之一种非挥发性记 忆体的制作方法,其中该下导电层具有一特定晶体 排列方向,该晶体排列方向包含有(100)、(110)或(200) 。 17.如申请专利范围第12项所述之一种非挥发性记 忆体的制作方法,其中该电阻层系为含有掺质之锆 酸锶薄膜,该掺质包含有钒、锆、铁、铌及其组合 。 18.如申请专利范围第17项所述之一种非挥发性记 忆体的制作方法,其中该锆酸锶薄膜中掺质之浓度 大抵为0.05%至1%。 19.如申请专利范围第12项所述之一种非挥发性记 忆体的制作方法,其中该电阻层之厚度大抵为20至 500奈米。 20.如申请专利范围第12项所述之一种非挥发性记 忆体的制作方法,其中该下导电层之厚度大抵为10 至1000奈米。 21.一种非挥发性记忆体的制作方法,其包含有: 提供一基板; 于该基板表面形成一绝缘层; 于该绝缘层上形成一下导电层,该下导电层系包含 有镍酸镧薄膜; 于该下导电层上形成一电阻层,该电阻层包含有锆 酸锶薄膜;以及 于该电阻层上形成一上导电层。 22.如申请专利范围第21项所述之一种非挥发性记 忆体的制作方法,其中该电阻层系为含有复数掺质 之锆酸锶薄膜,该些掺质包含有钒、锆、铁或铌。 图式简单说明: 第1图系显示一习知电阻式非挥发性记忆体的剖面 示意图。 第2图系显示一电阻式非挥发性记忆体中偏压与漏 电流之关系示意图。 第3图系显示本发明第一实施例中一非挥发式记忆 体之剖面示意图。 第4图系显示本发明第二实施例中一非挥发式记忆 体之剖面示意图。 第5图系显示本发明之电阻式非挥发性记忆体中偏 压与漏电流之关系示意图。 第6图系显示本发明之电阻式非挥发性记忆体中漏 电流变化之示意图。 |
