化合物半导体开关电路装置

摘要

虽然省略旁路FET后大幅度地缩小了开关电路的芯片尺寸，但在扩展FET的栅宽的要求中，必须再次增加芯片尺寸。通过用n+型杂质扩散区形成电阻并在邻接的衬垫和布线层下也形成n+型杂质扩散区，可使各自的间隔减少到4微米。通过使曲折的电阻的配置的宽度变窄以有效地利用空间，在控制端子与输出端子之间配置全部的电阻和FET的一部分，可在同一芯片尺寸的原有状态下增加FET的栅宽。

主权项

1.一种化合物半导体开关电路装置，其中，在沟道区的表面上形成设置了源电极、栅电极和漏电极的第1和第2FET，将两FET的源电极或漏电极作为共用输入端子，将两FET的漏电极或源电极作为第1和第2输出端子，具有连接到上述两FET的栅电极上的第1和第2控制端子和分别连接上述两FET的栅电极与上述两控制端子的第1和第2电阻，对两FET的栅电极施加控制信号，使上述第1FET或上述第2FET导通，在上述共用输入端子与上述第1输出端子之间或在上述共用输入端子与上述第2输出端子之间形成信号路径，其特征在于：减少至少一方的上述电阻的占有面积，在空闲的区域中设置上述一方的FET的一部分。