发明名称 |
一种低温制备纳米晶氧化锆基固体电解质的方法 |
摘要 |
一种低温制备纳米晶氧化锆基固体电解质的方法。该方法涉及到对锆基电解质块体或薄膜的制备过程进行优化集成:降低电解质前驱粉体一次颗粒尺寸;降低粉体颗粒间的硬团聚;改善粉体分散状况,提高生坯密度;优化干燥、烧结制度等。利用该整体优化的方法制备的锆基固体电解质块体和薄膜在低温下具有很高的烧结活性,且烧结致密度高、烧结体具有纳米晶微观结构。 |
申请公布号 |
CN1710742A |
申请公布日期 |
2005.12.21 |
申请号 |
CN200410049922.8 |
申请日期 |
2004.06.18 |
申请人 |
中国科学院过程工程研究所 |
发明人 |
朱庆山;雷泽;范保安;黄文来;谢朝晖 |
分类号 |
H01M8/10;H01M8/02;H01M8/12;H01M4/88;B01J19/00;C01G27/02 |
主分类号 |
H01M8/10 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种整体优化的方法用于纳米晶氧化锆基固体电解质的低温制备,该整体优化方法具体涉及到以下几项措施的综合集成:降低电解质前驱粉体一次颗粒尺寸;降低粉体颗粒间的硬团聚;改善粉体分散状况,提高生坯均匀性和生坯密度;优化干燥、烧结制度等;利用该整体优化方法,所制备的氧化锆基电解质块体和薄膜在低于1000℃的温度下具有很高的烧结活性,且烧结致密度高、烧结体具有纳米晶微观结构。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村北二条1号 |