发明名称 |
一种多段式分布反馈半导体激光器 |
摘要 |
一种多段式分布反馈半导体激光器,属于光电子器件技术领域,其特征在于:多个DFB段中至少有一个DFB段的波导宽度与其他DFB段不同。DFB激光器的激射波长不仅与光栅周期相关,而且与等效折射率有关。因此,可通过在不同的DFB段采用不同的波导宽度得到等效折射率差,从而实现激射波长的差异,使对应的激射谱产生微小的差异(量级0.01nm),从而达到波长偏移的效果。此外,还可以对已经制作的光栅结构加以修补,起到优化器件性能的效果。本发明结构新颖,制作工艺简单,将在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。 |
申请公布号 |
CN1710761A |
申请公布日期 |
2005.12.21 |
申请号 |
CN200510089216.0 |
申请日期 |
2005.07.27 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
罗毅;万钦;孙长征;熊兵;王健 |
分类号 |
H01S5/00 |
主分类号 |
H01S5/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种多段式分布反馈半导体激光器,集成至少两个中间用过渡段进行电隔离的单独的DFB段,所述DFB是分布反馈的英文缩写形式,其特征在于:所述的激光器的多个DFB段中至少有一个DFB段的波导宽度与其他DFB段不同。 |
地址 |
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