发明名称 | 气体产生量少的薄膜 | ||
摘要 | 提供一种薄膜,通过预先从薄膜本身排除会导致生成析出物的物质,即使是采用KrF或是ArF受激准分子激光来进行曝光,在激光照射时、以及在保管中,也可以防止在光罩上形成异物析出物,能够长时间维持正确的图案精度。在薄膜的制造过程中,通过将所使用的构件或是成品加热或是置于减压下等,以预先除去从所使用的构件或是成品发生的物质。 | ||
申请公布号 | CN1711502A | 申请公布日期 | 2005.12.21 |
申请号 | CN200380103262.0 | 申请日期 | 2003.11.13 |
申请人 | 三井化学株式会社 | 发明人 | 河关孝志;中川广秋 |
分类号 | G03F1/14 | 主分类号 | G03F1/14 |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
主权项 | 1.一种薄膜,其特征在于,将从薄膜发生的有机化合物成分在24小时、室温(26℃)下以100ml/min的氮气流进行捕捉,用2,6-二苯基对苯醚系的多孔聚合物珠吸附剂进行吸附,加热260℃×15分钟使其进行热脱附,分析所产生的气体,所检测出的挥发性有机化合物的总重量相对于薄膜重量在0.5ppm或以下。 | ||
地址 | 日本东京都 |