光电器件及光电器件的制造方法

摘要

本发明提供一种光电器件及该光电器件的制造方法，在由n型硅片、i型氢化非晶体硅层及p型氢化非晶体硅层构成的半导体层上，形成作为透光性导电膜的ITO膜，在这样制成的光电器件中，ITO膜由与半导体层接近一侧的作为碱性物质扩散防止区域的界面层、和分层淀积在该界面层上的体层来构成。通过对形成界面层及体层时的水分分压进行变动，而将界面层的结晶性降低到比体层的结晶性更低。

主权项

1.一种光电器件，包括：半导体层；和在上述半导体层上所形成的透光性导电膜；其中，上述透光性导电膜具有碱性物质扩散防止区域，上述碱性物质扩散防止区域具有透光性和导电性。