| 发明名称 | 具有多晶硅插头的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种在硅衬底上制造DRAM器件的方法，包括：形成存储单元区域中的单元晶体管和外围电路区域中的其他晶体管；形成与单元晶体管的扩散区域相连的多晶硅插头和与其他晶体管的扩散区域相连的金属插头；在980到1020摄氏度的温度下进行处理；在700到850摄氏度的温度下进行处理；将氟或氟化硼注入其他晶体管的扩散区域；以及在500到850摄氏度的温度下进行处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1710712A | 申请公布日期 | 2005.12.21 |
| 申请号 | CN200510076488.7 | 申请日期 | 2005.06.16 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 小此木坚祐;大汤静宪;真锅和孝;山田悟;大桥拓夫 |
| 分类号 | H01L21/8242 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体器件的方法，顺序包括：在硅衬底上形成具有与多晶硅插头相连的扩散区域的晶体管；在衬底温度为980到1020摄氏度的第一热处理中，对所述硅衬底进行处理；以及在衬底温度为700到850摄氏度的第二热处理中，对所述硅衬底进行处理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||