发明名称 | 具有用于改进的读出的适配磁畴形状的磁畴扩展ROM介质 | ||
摘要 | 本发明涉及一种具有改良的读出性能的磁畴扩展存储介质和制造方法。该存储介质的基板和/或它的存储层被处理,以定义适配于热读取剖面的前部的磁畴的预定形状。具体地说,定义在轨道方向上翻转的反向月牙形磁畴。这改良了分辨率和抖动值。 | ||
申请公布号 | CN1711602A | 申请公布日期 | 2005.12.21 |
申请号 | CN200380103309.3 | 申请日期 | 2003.10.21 |
申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | C·A·维斯楚伦;F·滋普 |
分类号 | G11B11/105 | 主分类号 | G11B11/105 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨生平;张志醒 |
主权项 | 1.一种磁畴扩展存储介质,其中的畴壁被替换,由此放大了读出层中的磁畴,从而再现存储层中的磁畴代表的信息,其中所述存储介质的基板具有局部改变的表面结构,或者所述存储层具有局部改变的磁学性能,它们被排布成定义所述磁畴的预定形状,所述预定形状具有适配于预定热读取剖面的弯曲。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |