| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体发光器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的堆叠状半导体结构；带条纹的脊状结构；以及，位于带条纹的脊状结构的侧面上的半导体电流限制层。堆叠状半导体结构包括第一半导体盖层、半导体有源层、第二半导体盖层和半导体蚀刻停止层。带条纹的脊状结构包括第三半导体盖层、半导体中间层和半导体帽层。带条纹的脊状结构位于半导体蚀刻停止层之上。半导体电流限制层与半导体蚀刻停止层之间的界面上和半导体电流限制层与带条纹的脊状结构之间的界面上含有的杂质含量均少于1×10<SUP>17</SUP>/cm<SUP>3</SUP>。 | ||
| 申请公布号 | CN1233078C | 申请公布日期 | 2005.12.21 |
| 申请号 | CN03164978.5 | 申请日期 | 2003.07.23 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 谷健太郎 |
| 分类号 | H01S5/22;H01S5/30;H01L33/00 | 主分类号 | H01S5/22 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的堆叠状半导体结构；带条纹的脊状结构；以及位于带条纹的脊状结构的侧面上的半导体电流限制层；其中堆叠状半导体结构包括第一半导体盖层、半导体有源层、第二半导体盖层和半导体蚀刻停止层；其中带条纹的脊状结构包括第三半导体盖层、半导体中间层和半导体帽层；其中带条纹的脊状结构位于半导体蚀刻停止层之上；以及其中半导体电流限制层与半导体蚀刻停止层之间的界面上和半导体电流限制层与带条纹的脊状结构之间的界面上含有的杂质含量均少于1×1017/cm3。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||