发明名称 |
漏电保护器用抗直流偏磁互感器磁芯及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种漏电保护器用电流互感器磁芯及其制造方法,该磁芯采用铁基纳米晶合金,包括如下步骤:母合金冶炼、制带、卷绕和退火,所述的铁基纳米晶合金的成分为(重量百分比):Fe 80%~85%,Si 7%~9%,B 1.5%~2.5%,Cu 1%~2%,M 4%~9%,M’0.01%~0.05%,其中,M为V,Cr,Mo,Nb,W,Ta,Mn中的一种或几种,M’为Al、Ti的至少一种;所述的退火步骤为如下的应力退火:将纳米晶带材在金属芯子上卷绕成所需磁芯,然后将带金属芯子的磁芯在510~580℃下退火预定的时间。本发明得到的磁芯具有优良的磁特性,尤其是在保持高磁导率的前提下具有更低的剩磁比和在正弦波、半波脉动及全波脉动条件下更高的磁感应强度增量。 |
申请公布号 |
CN1710676A |
申请公布日期 |
2005.12.21 |
申请号 |
CN200510077417.9 |
申请日期 |
2005.06.23 |
申请人 |
安泰科技股份有限公司;钢铁研究总院 |
发明人 |
丁力栋;刘宗滨;刘国栋;罗福林;安卫亚 |
分类号 |
H01F27/24;H01F1/00;H02H3/14 |
主分类号 |
H01F27/24 |
代理机构 |
北京中安信知识产权代理事务所 |
代理人 |
张小娟 |
主权项 |
1、一种漏电保护器用抗直流偏磁互感器磁芯,该磁芯采用铁基纳米晶合金,其特征在于:所述铁基纳米晶合金的成分为(重量百分比):Fe 80%~85%,Si7%~9%,B 1.5%~2.5%,Cu 1%~2%,M 4%~9%,M’0.01%~0.05%,其中,M为V,Cr,Mo,Nb,W,Ta,Mn中的一种或几种,M’为Al、Ti的至少一种。 |
地址 |
100081北京市海淀区学院南路76号 |