发明名称 |
制备高纯致密MgAlON陶瓷的方法及MgAlON陶瓷 |
摘要 |
本发明涉及制备高纯致密MgAlON陶瓷的方法及高纯致密MgAlON陶瓷,其方法以MgO、Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>及AlN为原料,球磨成混合粉料,采用放电等离子烧结技术,通过适当的烧结工艺制备出具有一定化学组成的高纯致密MgAlON陶瓷。它实现了传统方法难以实现的高纯高致密MgAlON陶瓷的快速高效制备,能够在较低温度下,超快速制备出高纯或单相的致密的MgAlON陶瓷。制得的高纯致密MgAlON陶瓷中MgAlON相的含量为95~100%,相对密度为92~99%,体积密度为3.4~3.8g/cm<SUP>3</SUP>,可广泛应用于耐火材料及高技术陶瓷领域。 |
申请公布号 |
CN1709824A |
申请公布日期 |
2005.12.21 |
申请号 |
CN200510035304.2 |
申请日期 |
2005.06.21 |
申请人 |
清华大学深圳研究生院 |
发明人 |
张厚兴;黄勇;李海峰;万之坚;黄晴 |
分类号 |
C04B35/10;C04B35/622 |
主分类号 |
C04B35/10 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种制备高纯致密MgAlON陶瓷的方法,其特征是包括以下步骤:a、取MgO、Al2O3、AlN配制原料,其中各组分的质量百分含量分别是,MgO 0.5~25%、Al2O3 60~90%、AlN 0.5~15%;b、将所述原料放入球磨罐中,以乙醇为介质共磨12~36小时,干燥后得混合粉料;c、将所述混合粉料置于石墨模具中,然后放入放电等离子烧结炉中,施加10~100MPa压力,进行烧结,升温速率为50~400℃/min,烧结温度为1400~1900℃,保温后随炉冷却至室温,即得高纯致密MgAlON陶瓷。 |
地址 |
518055广东省深圳市南山区西丽大学城清华大学深圳研究生院 |