| 发明名称 | 提高直流/直流升压集成电路输出电压精度的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高直流/直流升压集成电路输出电压精度的工艺方法，是通过以下步骤实现的：在集成电路芯片设计版图时，将输出电压修正点放在划片槽内，测试调整点可分别为2－10个，在探针测试修正输出电压时，通过在划片槽内的测试调整点加电流熔断相应的金属连线(1)；在集成电路工艺加工流程中，采用合金温度为420－480℃，时间为40－100分钟，工艺气体为H2+N2(2)；本发明的有益效果是：由于采用了从集成电路芯片设计，芯片加工到芯片测试多方案精度修正技术，利用标准半导体平面加工工艺和通用的测试设备，成本大为降低，不需附加设备也达到理想的输出电压精度。 | ||
| 申请公布号 | CN1710709A | 申请公布日期 | 2005.12.21 |
| 申请号 | CN200410025196.6 | 申请日期 | 2004.06.16 |
| 申请人 | 上海镭芯微电子有限公司 | 发明人 | 李金林 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 薛琦 |
| 主权项 | 1.一种提高直流/直流升压集成电路输出电压精度的工艺方法，是通过调整和控制多晶电阻的方法实现的，主要步骤为：在集成电路芯片设计版图时，将输出电压修正点放在划片槽内，测试调整点可分别为2-10个，在探针测试修正输出电压时，通过在划片槽内的测试调整点加电流熔断相应的金属连线(1)；在集成电路工艺加工流程中，采用合金温度为420-480℃，时间为40-100分钟，工艺气体为H2+N2(2)。 | ||
| 地址 | 200030上海市中山南二路1500号东亚大厦1704 | ||