| 发明名称 | 减少隔离元件对于有源区域的应力与侵蚀效应的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种减少隔离元件对于有源区域的应力与侵蚀效应的方法，所述方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有至少一沟槽结构于其上；以一绝缘材料填满所述沟槽结构以形成所述隔离元件；及干氧化处理所述隔离元件，借以减缓所述隔离元件的所述侧壁的氧化速率。由于侧壁的氧化速率被减缓，由此可以减少隔离元件对于邻近的有源区域的应力与侵蚀效应。 | ||
| 申请公布号 | CN1233033C | 申请公布日期 | 2005.12.21 |
| 申请号 | CN01124980.3 | 申请日期 | 2001.08.08 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 许淑雅 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种减少隔离元件对于有源区域的应力与侵蚀效应的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有至少一沟槽结构于其上；以一绝缘材料填满所述沟槽结构以形成所述隔离元件；及干氧化处理所述隔离元件，借以减缓所述隔离元件的所述侧壁的氧化速率。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 | ||