制造快闪记忆体装置之方法

摘要

本发明关于一种快闪记忆体装置的方法，其在一富含氢气的环境中执行一种第一快速热氧化制程，用以恢复在一闸极形成制程期间蚀刻造成的损伤，并在一富含氢气的环境中执行一种第二快速热氧化制程，用于在执行形成一细胞电晶体接面及一周边电路电晶体接面之离子植入制程之后来激励离子。由于那些制程，在一闸极蚀刻制程期间切断的矽悬荡键结具有一种Si–H结合结构，且可减少整个制程时间，以及降低在一ONO层及一穿隧氧化膜的边缘处所造成的异常氧化，其会使其有可能防止该ONO层的微笑现象，及该穿隧氧化膜的鸟喙现象。