用于决定半导体样本特性之方法及装置

摘要

本发明系有关于决定形成一表面之半导体样本特性的方法。该方法包括以下步骤：同时以叠加的多波长激发光束照射半导体样本表面上的一个区域；以相同的频率但是不同的相位调变这不同波长的光束；选择一个调变函数以及它的相位，使得所有光束的光通量总数在任何的时间落在一个公差范围之内，这个公差范围与所有光通量的总数比较是相当小的；同时进行由不同光束产生之表面光电压分量之相位相依的测量；以及从介于分量以及各别波长之间的关系决定半导体样本的特性。此外并揭示了一用来完成这种方法的装置。