半导体装置

摘要

本发明系提供一种半导体装置，其在不减小电路大小而执行高机械强度且可避免该资料被伪造以及非法变更，并降低成本。本发明系揭示一般为ID晶片之半导体装置，其系为一半导体薄膜所形成，包含一具有高结晶性之第一区以及具有较该第一区之结晶性为差之第二区。特别是，需要高速操作之电路之TFT(薄膜电晶体)系使用第一区而形成，而用为识别ROM之记忆体元件系使用第二区而形成。