发明名称 半导体发光装置和半导体发光设备
摘要 第一半导体发光装置包含:一透明基板;一发光层;和一粗糙区。该透明基板具有第一主表面和第二主表面,且在第一波长带是半透光的。该发光层选择性的提供在该透明基板的第一主表面上的第一部份中,且用以在第一波长带发光。该粗糙区提供在与第一主表面上的第一部份不同的第二部份中。第二半导体发光装置包含:一透明基板;一发光层;一第一电极;和至少一凹槽。该凹槽提供在该透明基板的第二主表面上,且从一第一侧面延伸至相对于该透明基板的第一侧面的第二侧面。
申请公布号 TW200541119 申请公布日期 2005.12.16
申请号 TW094114267 申请日期 2005.05.03
申请人 东芝股份有限公司 发明人 大桥健一;赤池康彦;杉山仁;菅原保晴
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本