低温多晶矽薄膜电晶体主动层之雷射再结晶方法

摘要

本发明系一种低温多晶矽薄膜电晶体主动层之雷射再结晶方法，其系利用具单一方向性之非等向性电浆蚀刻(Anisotropic Plasma Etching)在薄膜电晶体主动层侧壁形成一间距矽(silicon–spacer)，该间距矽提供了一雷射侧向再结晶机制与可防止雷射再结晶后主动层微缩或剥落变形等现象，此发明技术可使通道内之矽晶粒变大但在制程上不需额外光罩，如此同时提升元件特性、提高元件均匀度与节省制程成本，此技术在现今低温多晶矽薄膜电晶体(LTPS–TFT)领域中将会是一项关键技术。